[发明专利]一种制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法

权利要求书

1.一种制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，包括：

选取带有单层金属层的柔性基板，对该柔性基板上的单层金属层进行刻蚀形成多个金属电极，并对柔性基板没有单层金属层的一面进行激光刻槽形成多个槽；

在该柔性基板具有多个槽的一面倒装热压键合多个芯片；

将该柔性基板热压键合有多个芯片的一面与一柔性介质层进行热压，使该多个芯片被嵌入到该柔性介质层中；

对该柔性基板已嵌入多个芯片的柔性介质层一面进行减薄，将该柔性介质层以及多个芯片同时减薄到厚度小于50微米，得到减薄后的嵌入多个芯片的柔性介质模块；

将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，使得两边的芯片背面粘贴于中间的芯片背面之上，实现多个芯片的堆叠；

对多个芯片堆叠的三维柔性封装模块进行灌封及固化；以及

对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球。

2.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述对柔性基板没有单层金属层的一面进行激光刻槽形成多个槽的步骤中，该多个槽的尺寸与对该柔性基板上的单层金属层进行刻蚀形成的多个金属电极的尺寸一致。

3.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述在该柔性基板具有多个槽的一面倒装热压键合多个芯片的步骤中，是采用热压键合将多个芯片倒置安装在该柔性基板具有多个槽的一面，该多个芯片的金属电极正好放置在该柔性基板的多个开槽内，实现该柔性基板上的金属电极与该多个芯片的金属电极之间的热压键合。

4.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述将该柔性基板热压键合有多个芯片的一面与一柔性介质层进行热压的步骤中，该柔性介质层与该柔性基板为同一材质。

5.根据权利要求4所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，该柔性介质层为多层柔性介质，层压后盖住该多个芯片，将该多个芯片嵌入到该柔性介质层中。

6.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述对该柔性基板已嵌入多个芯片的柔性介质层一面进行减薄的步骤中，是采用化学机械抛光方法对该柔性基板已嵌入有多个芯片的柔性介质层一面进行薄型化处理，使整个柔性基板以及层压有柔性介质层的模块厚度低于50微米，而且芯片也可减薄至50微米以下，达到20到30微米左右甚至更薄。

7.根据权利要求6所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述将该柔性介质层以及多个芯片同时减薄，是将该柔性介质层以及多个芯片同时减薄至厚度为20至30微米。

8.根据权利要求6所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述采用化学机械抛光方法对该柔性基板已嵌入有多个芯片的柔性介质层一面进行薄型化处理之前，还包括：对整个柔性基板以及层压有柔性介质层的模块进行固定，以防止在化学机械减薄过程中伤害芯片以及线路连接。

9.根据权利要求8所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述对整个柔性基板以及层压有柔性介质层的模块进行固定，是采用临时键合胶将该模块临时键合到一支撑层上，减薄完毕后再去除临时键合胶以及支撑层。

10.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，是利用柔性基板的可弯折性，通过合理布局芯片的位置，将非安装芯片区域进行弯折，且使多个芯片堆叠在一起。

11.根据权利要求10所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述利用柔性基板的可弯折性，通过合理布局芯片的位置，将非安装芯片区域进行弯折，且使多个芯片堆叠在一起，是通过一定的弯折设备来固定并弯折非安装芯片区域，该设备带有机械手，能够有效地控制弯折曲率并固定弯折位置，准确地对柔性基板进行弯折并固定，同时在弯折过程中保证芯安装芯片柔性基板区域的平整度，以保护芯片与柔性基板的线路连接。