[发明专利]一种5块掩模版IGBT芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种5块掩模版IGBT芯片，其特征在于，由所述5块掩模版制造形成IGBT芯片；所述5块掩模版分别是孔掩模版、金属掩模版、钝化掩模版、有源区掩模版和多晶掩模版；所述孔掩模版、金属掩模版和钝化掩模版位于IGBT芯片互连及保护模块中；所述有源区掩模版和多晶掩模版位于与IGBT芯片互连及保护模块相反方向的模块中。

2.如权利要求1所述的5块掩模版的IGBT芯片，其特征在于，所述IGBT芯片按照功能分为：

有源区：称为元胞区，集成IGBT芯片的电流参数；

终端区：集成IGBT芯片的耐压参数；

栅极区：集成IGBT芯片的开关特性。

3.如权利要求2所述的5块掩模版的IGBT芯片，其特征在于，所述有源区包括N-衬底区；N-衬底区表面的栅极氧化层（2），沉积在栅极氧化层（2）上的多晶硅栅极（1）；栅极氧化层与N-衬底区之间的P-阱区（3）；位于P-阱区与栅极氧化层之间的N+区（4）；位于N-衬底区下方的背面注入区（5）；位于注入区下方的集电极（7）及位于栅极氧化层上方的发射极（6）。

4.如权利要求1所述的5块掩模版的IGBT芯片，其特征在于，所述终端区包括终端区场板结构和终端区场环结构。

5.一种5块掩模版IGBT芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

A、制造所述有源区掩模版；

B、制造所述多晶掩模版；

C、制造所述孔掩模版；

D、制造所述金属掩模版；

E、制造所述钝化掩模版。

6.如权利要求5所述的5块掩模版IGBT芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤A中，有源区与终端区的P-阱区同时注入，所述有源区的P-阱区形成MOS结构；终端区的P-阱区形成终端区场环结构。

7.如权利要求5所述的5块掩模版IGBT芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤B中，多晶掩模版包含多晶硅，所述多晶硅分布在有源区，栅极区和终端区；

有源区多晶硅形成MOS栅结构，栅极区多晶硅为有源区MOS栅结构汇总区域，终端区多晶硅形成终端区的场板结构。

8.如权利要求5所述的5块掩模版IGBT芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤C中，所述孔掩模版包括孔；所述孔分布在有源区，栅极区和终端区；

有源区孔为IGBT芯片发射极引出端；栅极区孔为IGBT芯片栅极引出端；终端区孔为场板与场环接触孔，形成接触场板结构。

9.如权利要求5所述的5块掩模版IGBT芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤D中，所述金属掩模版包括金属；所述金属分布在有源区，栅极区和终端区；

有源区金属为IGBT芯片发射极引出端；栅极区金属IGBT芯片栅极引出端；终端区金属形成终端场板结构。

10.如权利要求5所述的5块掩模版IGBT芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤E中，所述钝化掩模版包括钝化；所述钝化分布在终端区，有源区，栅极区；

终端区钝化为IGBT芯片终端区保护材料，用于隔离和保护芯片；有源区和栅极区钝化开口为IGBT芯片栅焊盘区，用于对IGBT芯片封装，发射极和栅极打线位置。