[发明专利]掺杂二氧化钛的石英玻璃元件及制备方法有效
| 申请号： | 201210297275.7 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102849929A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 每田繁;大塚久利 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C03B20/00 | 分类号： | C03B20/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化 石英玻璃 元件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.掺杂二氧化钛的石英玻璃元件，其具有反射至多70nm波长的EUV光的表面，其中所述表面中的折射率分布在该元件的中心80％区域内具有至少两个极点，并且最大和最小点之间的折射率差为至多5×10-5。
2.权利要求1的掺杂二氧化钛的石英玻璃元件，其在10至30℃的温度范围具有-30至+30ppb/℃的平均线性热膨胀系数。
3.权利要求1的掺杂二氧化钛的石英玻璃元件，其具有至多400ppm的OH基团浓度分布。
4.权利要求1的掺杂二氧化钛的石英玻璃元件，其具有至多5×1018个分子/cm3的氢分子浓度。
5.权利要求1的掺杂二氧化钛的石英玻璃元件，其具有至多5×1017个键/cm3的Si-H键含量。
6.EUV光刻法元件，其包含权利要求1的掺杂二氧化钛的石英玻璃元件。
7.权利要求6的元件，其在EUV光刻法中用作光掩模衬底。
8.权利要求7的EUV光刻法光掩模衬底，其中该光掩模衬底是152.4mm×152.4mm的矩形衬底，该衬底具有包括142.4mm×142.4mm正方形中心区域的表面，其中该中心区域中最高和最低位置之间的差为至多200nm。
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