[发明专利]硅台面半导体器件的PN结保护方法

权利要求书

1. 硅台面半导体器件的PN结保护方法，其特征在于包括以下步骤：

1）在完成了扩散工序的硅片表面采用气相沉积法覆盖SIPOS薄膜，并采用掩膜的方法，去除多余的SIPOS薄膜，只在PN结表面保留SIPOS薄膜；

2）将玻璃粉的稀释混合液涂敷在硅片表面，低温焙烧后，去除多余的玻璃粉，再将硅片置于扩散炉内，在O₂气氛中烧结。

2.根据权利要求1所述硅台面半导体器件的PN结保护方法，其特征在于在所述步骤1）中，将完成扩散和台面成型的硅片清洗干净并甩干后，装入载片舟，在CVD炉内温度为650±20℃的条件下，无氧条件下，将SiH₄、N₂O的混合液进行汽化处理60±5分钟，然后将硅片载片舟拉出，取下硅片；再采用化学清洗剂对硅片进行清洗并甩干后，再在硅片的表面覆盖厚度为2～3μm的光刻胶，将硅片装入片架，并置于90±5℃的烘箱内处理30±5分钟，取出片架，选择性曝光、显影，再将硅片片架置于150±5℃的烘箱内处理30±5分钟后取出；再经腐蚀窗口、去除光光刻胶，则在硅片的PN结表面沉积了SIPOS薄膜。

3.根据权利要求2所述硅台面半导体器件的PN结保护方法，其特征在于经CVD炉处理后，在硅片上覆盖的SIPOS薄膜厚度为1～2μm。

4.根据权利要求2所述硅台面半导体器件的PN结保护方法，其特征在于所述SiH₄、N₂O的混合液的混合投料质量比为85～90︰10～15。

5.根据权利要求2所述硅台面半导体器件的PN结保护方法，其特征在于所述化学清洗剂的组分为：HNO₃、HF和冰乙酸，各成分的质量比为10︰1︰1。

6.根据权利要求1所述硅台面半导体器件的PN结保护方法，其特征在于在所述步骤2）中，采用化学清洗剂对硅片进行清洗并甩干后，在硅片的表面均匀涂敷玻璃粉的稀释混合液层，并装入载片舟，在炉内温度为470±5℃的扩散炉中，在O₂气氛中焙烧20±2分钟；再将载片舟拉出扩散炉，去除硅片表面多余的玻璃粉，再将硅片装上载片舟，置于炉内温度为820±5℃的扩散炉中，在O₂气氛中烧结20±2分钟，然后取出硅片。

7.根据权利要求6所述硅台面半导体器件的PN结保护方法，其特征在于所述化学清洗剂的组分为：氨水、双氧水和水，各成分的质量比为 1︰2︰5。

8.根据权利要求6所述硅台面半导体器件的PN结保护方法，其特征在于所述玻璃粉的稀释混合液由乙基纤维素和玻璃粉以2.5︰1的质量比混合组成。

9.根据权利要求6所述硅台面半导体器件的PN结保护方法，其特征在于在硅片的表面涂敷的玻璃粉的稀释混合液层的厚度为15～20μm。