[发明专利]一种选择性掺杂区域特性的检测方法有效
| 申请号： | 201210292898.5 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102856225A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 沈辉;王学孟;林杨欢 | 申请（专利权）人： | 顺德中山大学太阳能研究院 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 528300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 掺杂 区域 特性 检测 方法 | ||
1.一种选择性掺杂区域特性的检测方法，其特征是：采用光束诱导电流技术即聚焦激光束在硅片表面扫描，同时记录扫描各点时产生的光电流值，通过测量选择性掺杂前后光电流的变化情况，获得选择性掺杂区域的特性。
2.根据权利要求1所述的选择性掺杂区域特性的检测方法，其特征是：所述聚焦激光束的激光波长为400~1100nm。
3.根据权利要求1所述的选择性掺杂区域特性的检测方法，其特征是：所述聚焦激光束的光斑直径小于选择性掺杂区域的最小尺寸。
4.根据权利要求1或3所述的选择性掺杂区域特性的检测方法，其特征是：所述聚焦激光束的光斑直径为10~300微米。
5.根据权利要求1所述的选择性掺杂区域特性的检测方法，其特征是：检测选择性掺杂区域的特性包括选择性掺杂区域的掺杂浓度分布情况以及选择性掺杂区域的电阻值。
6.根据权利要求1所述的选择性掺杂区域特性的检测方法，其特征是：采用光束诱导电流技术即聚焦激光束在硅片表面的测试区域扫描，同时记录扫描各点时产生的光电流值，通过测量选择性掺杂前后光电流的变化情况，获得选择性掺杂区域的特性。
7.根据权利要求6所述的选择性掺杂区域特性的检测方法，其特征是：所述测试区域为选择性掺杂区域及其周边区域。
8.根据权利要求1所述的选择性掺杂区域特性的检测方法，其特征是：在靠近选择性掺杂区域及其周边区域设置收集光生电流的电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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