[发明专利]一种薄膜晶体管驱动背板的制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管驱动背板的制作方法，其特征在于，包括：

制备并图形化金属导电层；

在所述金属导电层上依次沉积绝缘薄膜和金属氧化物薄膜，分别作为栅极绝缘层和有源层；

根据所述金属导电层的形状图形化所述有源层；

在所述有源层上沉积绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层；

在所述栅极绝缘层制备接触孔并图形化所述刻蚀阻挡层，定义薄膜晶体管源漏电极区域和所述存储电容的有效面积；

在所述刻蚀阻挡层上沉积并图形化导电薄膜层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管驱动背板的制作方法，其特征在于，所述制备并图形化金属导电层之前，包括：

在透明衬底上沉积二氧化硅(SiO₂)或氮化硅(Si₃N₄)作为缓冲层；

所述制备并图形化金属导电层，包括：

在所述缓冲层上沉积并图形化金属导电层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管驱动背板的制作方法，其特征在于，

制备所述金属导电层所使用的金属包括：

铝(Al)，铜(Cu)，钼(Mo)，钛(Ti)，银(Ag)，金(Au)，钽(Ta)，铬(Cr)单质或铝合金；

所述金属导电层为单层金属薄膜，或由单层Al，Cu，Mo，Ti，Ag，Au，Ta，Cr或铝合金中任意两层以上组成的多层薄膜；

所述金属导电层的厚度为100nm至2000nm；

所述金属导电层作为电信号导线，薄膜晶体管栅极以及像素电路储存电容下电极的载体层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管驱动背板的制作方法，其特征在于，所述根据金属导电层的形状图形化所述有源层，包括：

在所述有源层上制备与所述金属导电层的形状一致的正性光刻胶；

使用刻蚀剂对没有覆盖所述正性光刻胶的所述有源层进行刻蚀。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管驱动背板的制作方法，其特征在于，在所述有源层上制备与所述金属导电层的形状一致的正性光刻胶，包括：

在所述金属导电层上覆盖正性光刻胶；

使用图形化后的金属导电层作为自对准光刻掩膜版；

将紫外光由所述玻璃衬底一侧入射，对所述正性光刻胶进行曝光；

经显影后所得到与金属导电层的形状一致的正性光刻胶。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管驱动背板的制作方法，其特征在于，使用灰度掩膜版图形化工艺，在所述栅极绝缘层制备接触孔并图形化所述刻蚀阻挡层，定义薄膜晶体管源漏电极区域和所述存储电容的有效面积；包括：

使用一个灰度掩膜版在所述栅极绝缘层制备接触孔并图形化所述刻蚀阻挡层，定义薄膜晶体管源漏电极区域和所述存储电容的有效面积；

所述灰度掩膜版包括：透明区域，灰度区域和不透明区域；

所述透明区域为能完全透过紫外光的区域，所述灰度区域为能部分透过紫外光的区域，不透明区域为不能透过紫外光的区域。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管驱动背板的制作方法，其特征在于，所述使用一个灰度掩膜版在所述栅极绝缘层制备接触孔并图形化所述刻蚀阻挡层，定义薄膜晶体管源漏电极区域和所述存储电容的有效面积；

在所述刻蚀阻挡层上覆盖正性光刻胶；

使用一个灰度掩膜版对覆盖在所述刻蚀阻挡层上的正性光刻胶进行曝光，定义所述接触孔；

依次去除所述接触孔上覆盖的刻蚀阻挡层，有源层和栅极绝缘层；

对所述正性光刻胶进行减薄处理，完成对所述刻蚀阻挡层的图形化和所述存储电容的有效面积的定义。

去除薄膜晶体管源漏电极区域和储存电容处的刻蚀阻挡层。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管驱动背板的制作方法，其特征在于，

沉积所述导电薄膜层所使用的金属包括：

Al，Cu，Mo，Ti单质，铝合金或氧化铟锡透明导电薄膜ITO；

所述导电薄膜层为单层金属薄膜，或由单层Al，Cu，Mo，Ti单质，铝合金或ITO中任意两层以上组成的多层薄膜；

所述导电薄膜层的厚度为100nm～2000nm；

所述导电薄膜层作为薄膜晶体管的源漏电极，电容的上电极，以及信号导线的载体层，并且可通过接触孔与所述金属导电层相连通。