[发明专利]半导体器件及形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体晶片，包括：

主水平面；

外边缘；

有源区；以及

外围区，包括包围所述有源区的介电结构，所述介电结构从所述主水平面延伸到所述半导体晶片中，并且在水平截面中包括相对于所述外边缘倾斜的大致L形部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述大致L形部分形成第一介电螺旋的一部分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电结构至少包括四个在所述水平截面中为大致L形的绝缘区。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电结构形成与所述半导体晶片的绝缘体半导体界面，并且其中，所述绝缘体半导体界面大致沿所述半导体晶片的至少一个晶面延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区包括pn结，并且其中，所述介电结构在所述pn结下方垂直延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电结构在垂直截面中包括一系列绝缘区，所述绝缘区由所述外围区的相应台面区隔开。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括包围所述介电结构的环向垂直沟槽。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外围区布置在所述半导体晶片的外n型部分中，其中，所述有源区包括所述半导体晶片内形成pn结的p型半导体区，所述pn结的一部分延伸到靠近所述外围区的所述主水平面，并且其中，所述p型半导体区被所述介电结构包围但是不与所述外n型部分绝缘。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述水平截面中，所述介电结构形成为中空螺旋。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区包括二极管、MOSFET、IGBT和TEDFET中的至少一个。

11.一种半导体器件，包括：

半导体晶片，包括外边缘以及限定主水平面并与所述外边缘隔开的有源区；以及

边缘终端结构，包括至少一个垂直沟槽，所述至少一个垂直沟槽包括在水平截面中与所述外边缘形成锐角的绝缘侧壁，所述锐角小于约20°。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述至少一个垂直沟槽包括至少两个部分，在所述水平截面中，所述至少两个部分布置成约90°的角。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述边缘终端结构包括布置在所述有源区周围的多个垂直沟槽。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述边缘终端结构还包括布置在所述至少一个垂直沟槽周围的闭合垂直沟槽。

15.一种半导体器件，包括：

半导体晶片，包括外边缘以及限定主水平面并与所述外边缘隔开的有源区；以及

边缘终端结构，包括包围所述有源区的闭合垂直沟槽，所述边缘终端结构还包括在水平截面中布置在所述闭合垂直沟槽和所述有源区之间的至少一个垂直沟槽，所述至少一个垂直沟槽包括与所述外边缘形成锐角的绝缘侧壁。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，在所述水平截面中，所述至少一个垂直沟槽大致形成为细长矩形。

17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述绝缘侧壁延伸到所述闭合垂直沟槽中。

18.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述闭合垂直沟槽包括环向场板、环向多晶硅填充、以及环向通道停止区中的至少一个。

19.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述有源区包括pn结，并且其中，所述绝缘侧壁至少延伸到所述pn结。

20.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述边缘终端结构包括多个垂直沟槽，所述多个垂直沟槽中的每个都布置在距所述闭合垂直沟槽和/或所述外边缘的基本相同的水平距离。

21.根据权利要求20所述的半导体器件，其中，所述有源区由所述多个垂直沟槽完全包围。