[发明专利]一种沟槽栅型MOS管及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽栅型MOS管，其特征是，包括：P型外延层或P型硅衬底中形成的N阱，N阱中形成有N+注入层，N阱一侧的P型外延层或P型硅衬底中并列排布有多个彼此串联的MOS结构；

所述MOS结构包括：形成在所述P型外延层或P型硅衬底中沟槽内的栅氧化层，栅氧化层中形成有多晶硅栅，栅氧化层的一侧形成有N+注入层；

每个多晶硅栅与其旁侧MOS结构的N+注入层相连，N阱中的N+注入层引出作为本器件的一连接端，P型外延层或P型硅衬底中最远离N阱的N+注入层引出作为本器件另一连接端。

2.如权利要求1所述的沟槽栅型MOS管，其特征是：所述MOS结构是制造参数、器件结构完全相同的。

3.一种沟槽栅型MOS管，其特征是，包括：N型外延层或N型硅衬底形成的P阱，P阱一侧的N型外延层或N型硅衬底中形成有N+注入层，P阱中并列排布有多个彼此串联的MOS结构；

所述MOS结构包括：形成在所述P阱中沟槽内的栅氧化层，栅氧化层中形成有多晶硅栅，栅氧化层的一侧形成有N+注入层；

每个多晶硅栅与其旁侧MOS结构的N+注入层相连，所述N型外延层或N型硅衬底中的N+注入层引出作为本器件的一连接端，P阱中最远离N型外延层或N型硅衬底中N+注入层的N+注入层引出作为本器件另一连接端。

4.如权利要求3所述的沟槽栅型MOS管，其特征是：所述MOS结构是制造参数、器件结构完全相同的。

5.如权利要求1或3所述的沟槽栅型MOS管，其特征是：所述栅氧化层是单层均匀厚度的结构。

6.一种沟槽栅型MOS管的制造方法，其特征是，包括：

一、P型外延层或P型硅衬底上形成N阱；

二、在P型外延层或P型硅衬底刻蚀形成多个沟槽，在沟槽内生长栅氧化层；

三、在沟槽内淀积多晶硅栅，刻蚀形成栅极；

四、在N阱和P型外延层或P型硅衬底中注入形成N+注入层；

五、将每个多晶硅栅与其旁侧MOS结构的N+注入层相连，将N阱中的N+注入层引出作为本器件的一连接端，将最远离N阱的MOS结构的N+注入层引出作为本器件的另一连接端。

7.一种沟槽栅型MOS管的制造方法，其特征是，包括：

A、N型外延层或N型硅衬底上形成P阱；

B、在P阱中刻蚀形成多个沟槽，在沟槽内生长栅氧化层；

C、在沟槽内淀积多晶硅栅，刻蚀形成栅极；

D、在P阱和N型外延层或N型硅衬底中注入形成N+注入层；

E、将每个多晶硅栅与其旁侧MOS结构的N+注入层相连，所述P阱中的N+注入层引出作为本器件的一连接端，将最远离N型外延层或N型硅衬底中N+注入层的MOS结构的N+注入层引出作为本器件另一连接端。