[发明专利]光刻设备、投影系统和器件制造方法

说明书

本申请是2010年5月20日进入国家阶段的申请号为200880117150.3(国际申请号PCT/NL2008/050731，国际申请日2008年11月18日)、名称为“光刻设备、投影系统和器件制造方法”的分案申请。

相关领域交叉引用

本申请要求于2007年11月30日递交的美国临时申请61/004772的优先权，并且这里以参考的方式全文并入。

技术领域

本发明涉及一种光刻设备、一种投影系统以及一种器件制造方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

在已知的光刻系统中，投影系统包括其中投影图案化的辐射束的真空室。这样，投影束穿过真空室的至少一个区域。在真空室中，具有颗粒的污染物，例如源自衬底结构的碳羟基(carbon hydroxyl)颗粒，可能损伤光学元件，例如反射镜。此外，污染物颗粒可能影响投影束的光学透射率。具体地，极紫外(EUV)光刻系统可能会遭受这种气体污染。

在美国专利申请出版物第US6714279号中，真空室设置有惰性气体源。通过在真空室中供给惰性气体可以抑制光学部件的污染。

发明内容

期望例如实现一种光刻设备，其中能够进一步地抑制在真空室内产生污染物颗粒。

根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括：配置成调节辐射束的照射系统；构造成支撑图案形成装置的支撑结构，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束；构造成保持衬底的衬底台，配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上的投影系统；真空室，在使用期间所述图案化的辐射束被投影通过真空室；和净化系统，配置成在所述室内提供净化气体流。

根据本发明的一方面，提供一种投影系统，配置成在光刻设备中将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上，其中所述投影系统包括真空室，其中在使用期间所述图案化的辐射束被投影，并且其中所述投影系统还包括净化系统，所述净化系统配置成在所述室内提供净化气体流。

根据本发明的一方面，还提供一种器件制造方法，包括将图案化的辐射束投影到衬底上，其中在真空室中应用净化气体流，所述图案化辐射束被投影通过所述真空室。

附图说明

现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：

图1示出了根据本发明实施例的光刻设备；

图2示出光刻设备的示意图；

图3示出根据本发明实施例的光刻设备的示意图；

图4示出施加在颗粒上的拖曳力和重力的图；

图5示出沿表面行进的污染物颗粒的示意图。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：

-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或可见光辐射)；

-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；

-衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和

-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。