[发明专利]芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置有效
| 申请号： | 201210275227.8 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102911616A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 大西谦司;盛田美希;宍户雄一郎 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J133/00;H01L21/683;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 接合 薄膜 切割 半导体 装置 | ||
1.一种芯片接合薄膜，其特征在于，
含有含腈基热固性丙烯酸类共聚物和固化剂，
使用差示量热计，以10℃/分钟的升温速度从25℃到300℃进行测定时的放热量为10mJ/mg以下。
2.如权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，
以在175℃热固化5小时后为基准，失重5重量％的温度为280℃以上，
在175℃热固化5小时后相对于热固化前的吸水率为1重量％以下。
3.如权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，
在175℃热固化5小时后的260℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上。
4.如权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，
设所述含腈基热固性丙烯酸类共聚物的重量为x、所述固化剂的重量为y时，重量比（x/y）为2以上且20以下。
5.如权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，
所述含腈基热固性丙烯酸类共聚物的重均分子量为50万以上。
6.如权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，
所述含腈基热固性丙烯酸类共聚物含有环氧基，并且环氧值为0.1eq/kg以上且1eq/kg以下。
7.如权利要求6所述的芯片接合薄膜，其特征在于，
所述固化剂具有酚羟基。
8.一种切割/芯片接合薄膜，其特征在于，
权利要求1所述的芯片接合薄膜层叠在切割薄膜上。
9.如权利要求8所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，
所述芯片接合薄膜的热固化前的25℃下的拉伸储能弹性模量为1MPa以上且5GPa以下。
10.一种半导体装置，其特征在于，
使用权利要求1至7中任一项所述的芯片接合薄膜或者权利要求8或9所述的切割/芯片接合薄膜制造。
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