[发明专利]存储装置的操作方法与存储器阵列及其操作方法

权利要求书

1.一种存储装置的操作方法，包括：

使一存储装置处在设定状态，方法包括提供一第一偏压至该存储装置；

读取该存储装置的设定状态，方法包括提供一第二偏压至该存储装置；以及

提供一回复偏压至该存储装置，其中提供该回复偏压的步骤是在提供该第一偏压的步骤或提供该第二偏压的步骤之后进行。

2.根据权利要求1所述的存储装置的操作方法，其中提供该回复偏压的步骤是在提供该第一偏压的步骤与提供该第二偏压的步骤之间进行。

3.根据权利要求1所述的存储装置的操作方法，其中提供该回复偏压的步骤是在提供该第一偏压的步骤与提供该第二偏压的步骤之后进行。

4.根据权利要求1所述的存储装置的操作方法，其中该回复偏压的极性是相反于该第一偏压的极性与该第二偏压的极性。

5.根据权利要求1所述的存储装置的操作方法，其中该第一偏压大于、等于用以使该存储装置处在设定状态的一第一阈值电压，该第二偏压大于、等于用以读取该存储装置的设定状态的一第二阈值电压。

6.根据权利要求1所述的存储装置的操作方法，其中该存储装置具有一第一阈值电压与一第二阈值电压，该第一阈值电压与该第二阈值电压具有相同的极性，该第一阈值电压的绝对值不同于该第二阈值电压的绝对值。

7.根据权利要求6所述的存储装置的操作方法，其中该第一阈值电压为使该存储装置处在设定状态的阈值电压，该第二阈值电压为读取该存储装置的设定状态的阈值电压。

8.根据权利要求6所述的存储装置的操作方法，其中该第一阈值电压的绝对值大于该第二阈值电压的绝对值。

9.一种存储器阵列的操作方法，包括：

使电性连接在一字线与一位线之间的一双端电极的存储装置处在设定状态，方法包括通过该字线与该位线提供一第一偏压至该双端电极的存储装置；

读取该双端电极的存储装置的设定状态，方法包括通过该字线与该位线提供一第二偏压至该双端电极的存储装置；以及

通过该字线与该位线提供一回复偏压至该双端电极的存储装置，其中提供该回复偏压的步骤是在提供该第一偏压的步骤或提供该第二偏压的步骤之后进行。

10.一种存储器阵列，包括多个存储单元，其中该多个存储单元各包括：

一第一导线；

一第二导线；以及

一存储装置，包括：

一第一电极层，电性连接至该第一导线；

一第二电极层，电性连接至该第二导线；以及

一固态电解质结构，邻接在该第一电极层与该第二电极层之间，其中该第二电极层为移动金属离子的来源，该多个移动金属离子可移动至该固态电解质结构中。