[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

a)提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区，在所述NMOS区和所述PMOS区上形成有栅极结构，且在所述栅极结构两侧形成有紧靠所述栅极结构的侧壁结构；

b)在所述半导体衬底上依次形成一具有拉应力的应力层和一厚氧化物层，以覆盖所述NMOS区和所述PMOS区；

c)去除覆盖在所述PMOS区的氧化物层和具有拉应力的应力层；

d)形成一具有压应力的应力层，以覆盖所述PMOS区和所述NMOS区；

e)形成一牺牲层，以覆盖所述具有压应力的应力层；

f)回蚀刻所述牺牲层，以露出位于覆盖在所述NMOS区的氧化物层的顶部的具有压应力的应力层；

g)去除所述位于覆盖在所述NMOS区的氧化物层的顶部和侧壁上的具有压应力的应力层；

h)去除所述牺牲层和所述氧化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺实施所述步骤b)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有拉应力的应力层的材料为氮化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述厚氧化物层的厚度为5000-10000埃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c)包括以下步骤：在所述氧化物层上形成一图案化的光刻胶层，以遮蔽所述NMOS区；采用等离子体各向同性蚀刻工艺去除覆盖在所述PMOS区的氧化物层和具有拉应力的应力层；采用灰化工艺去除所述光刻胶层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺或者高密度等离子体沉积工艺实施所述步骤d)。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有压应力的应力层的材料为氮化硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为旋涂玻璃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用等离子体各向同性蚀刻工艺实施所述步骤f)。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法蚀刻工艺实施所述步骤g)。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻工艺所使用的腐蚀液为热磷酸。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法蚀刻工艺实施所述步骤h)。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻工艺所使用的腐蚀液为稀释的氢氟酸。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括步骤i)，去除在所述具有压应力的应力层与所述具有拉应力的应力层相接触的位置的上方残留的具有压应力的应力层，以在所述位置形成一自对准界面。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，采用湿法蚀刻工艺实施所述步骤i)。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻工艺所使用的腐蚀液为热磷酸。

17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为CMOS。

18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和栅极硬掩蔽层。