[发明专利]具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置，所述平板显示装置包括：

基板；

栅极线和数据线，所述栅极线和数据线在所述基板上形成为彼此交叉并限定多个像素区域；

所述薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述栅极线与所述数据线的交叉部处，并且每个所述薄膜晶体管都包括氧化物沟道层；

像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极形成在所述像素区域中，并且在所述像素电极与所述公共电极之间具有钝化层；以及

台阶覆盖补偿图案，所述台阶覆盖补偿图案形成在由所述栅极线与所述薄膜晶体管的栅极形成的台阶部处。

2.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中所述台阶部包括以下交叉部中的至少一个交叉部：每个所述薄膜晶体管中包含的栅极与源极和漏极的交叉部；所述数据线与所述栅极线的交叉部；以及所述漏极与所述栅极线的交叉部。

3.根据权利要求1所述的平板显示装置，进一步包括蚀刻阻止部，所述蚀刻阻止部形成在所述薄膜晶体管的所述氧化物沟道层上。

4.根据权利要求3所述的平板显示装置，其中所述台阶覆盖补偿图案通过连接部与所述蚀刻阻止部连接。

5.根据权利要求3所述的平板显示装置，其中所述台阶覆盖补偿图案形成为一体，并且形成为一体的所述台阶覆盖补偿图案覆盖与所述薄膜晶体管的所述栅极、所述栅极与所述源极和漏极的交叉部、所述数据线与所述栅极线的交叉部以及所述漏极与所述栅极线的交叉部对应的所有区域。

6.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中所述氧化物沟道层是由铟镓锌氧化物IGZO形成的。

7.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中所述台阶覆盖补偿图案比所述蚀刻阻止部厚。

8.根据权利要求7所述的平板显示装置，其中所述台阶覆盖补偿图案在大约的厚度范围内。

9.一种制造具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：

在基板上形成栅极和栅极线，所述栅极线与将要通过随后工艺形成的数据线彼此交叉并且限定像素区域；

在设置有所述栅极和所述栅极线的所述基板上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上在所述像素区域中形成像素电极；

在所述栅极的上方形成氧化物沟道层，其中所述栅极绝缘层是在所述氧化物沟道层和所述栅极之间；

在所述氧化物沟道层上形成蚀刻阻止部，并且在由所述栅极与所述栅极线形成的台阶部形成台阶覆盖补偿图案；

在具有所述蚀刻阻止部和所述台阶覆盖补偿图案的所述基板上形成与所述氧化物沟道层接触的所述数据线、源极和漏极；

形成覆盖具有所述数据线和所述源极和漏极的所述基板的钝化层；以及

在所述钝化层上形成公共电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述台阶部包括以下交叉部中的至少一个交叉部：每个所述薄膜晶体管中包含的栅极与源极和漏极的交叉部；所述数据线与所述栅极线的交叉部；以及所述漏极与所述栅极线的交叉部。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述氧化物沟道层是由铟镓锌氧化物IGZO形成的。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻阻止部和所述台阶覆盖补偿图案的形成包括以下步骤：

在具有所述氧化物沟道层的所述基板上顺序形成绝缘层和光刻胶膜；

使用半色调掩模和衍射掩模之一将所述光刻胶膜构图为第一光刻胶图案和第二光刻胶图案；

对所述绝缘层进行使用所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案作为蚀刻掩模的第一蚀刻工艺，从而连同第二绝缘层图案一起，在所述氧化物沟道层上形成第一绝缘层图案，所述第二绝缘层图案在所述栅极与将要通过随后工艺形成的所述源极和漏极的重叠区域中；

对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行第一灰化工艺，以暴露所述第一绝缘层图案，并且在所述第二绝缘层图案上留下第三光刻胶图案；

对所暴露的第一绝缘层图案进行第二蚀刻工艺，以形成所述蚀刻阻止部；以及

对所述第三光刻胶图案进行第二灰化工艺，以暴露所述第二绝缘层图案，从而形成所述台阶覆盖补偿图案，

其中所述蚀刻阻止部和所述台阶覆盖补偿图案具有不同的厚度。