[发明专利]用于电子标签的整流器无效
| 申请号: | 201210225595.1 | 申请日: | 2012-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN103532406A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
| 发明(设计)人: | 曾维亮 | 申请(专利权)人: | 成都市宏山科技有限公司 |
| 主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217;H02M1/14 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 电子标签 整流器 | ||
1.用于电子标签的整流器,其特征在于:包括第一MOS晶体管(N1)、第二MOS晶体管(N2)、第三MOS晶体管(N3)及第四MOS晶体管(N4),所述第一MOS晶体管(N1)和第二MOS晶体管(N2)均为二极管连接的MOS管,第一MOS晶体管(N1)的源极和漏极分别与第四MOS晶体管(N4)漏极和第二MOS晶体管(N2)漏极连接,第一MOS晶体管(N1)栅极与第三MOS晶体管(N3)栅极连接,第二MOS晶体管(N2)源极和栅极分别与第三MOS晶体(N3)漏极和第四MOS晶体管(N4)栅极连接,第三MOS晶体管(N3)和第四MOS晶体管(N4)两者的源极均接地;所述第一MOS晶体管(N1)源极与第四MOS晶体管(N4)漏极之间的线路上连接有第一射频信号输入线(RF1),所述第二MOS晶体管(N2)源极与第三MOS晶体管(N3)漏极之间的线路上连接有第二射频信号输入线(RF2),所述第一MOS晶体管(N1)漏极和第二MOS晶体管(N2)漏极之间的线路上连接有电源(VHD1)。
2.根据权利要求1所述的用于电子标签的整流器,其特征在于:还包括第一电容(C1)、第二电容(C2)及第一电阻(R1),所述第二电容(C2)与第一电阻(R1)串联后与第一电容(C1)并联构成串并联线路,该串并联线路设有第一电阻(R1)的一端与第一MOS晶体管(N1)漏极和第二MOS晶体管(N2)漏极之间的线路连接,其另一端接地,所述电源(VHD1)连接在第一电阻(R1)与第二电容(C2)之间的线路上。
3.根据权利要求1或2所述的用于电子标签的整流器,其特征在于:所述第一MOS晶体管(N1)、第二MOS晶体管(N2)、第三MOS晶体管(N3)及第四MOS晶体管(N4)均为N沟道增强型场效应管。
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