[发明专利]强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器及其制法无效
| 申请号: | 201210220825.5 | 申请日: | 2012-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN103515750A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
| 发明(设计)人: | 陈冠吾;郭家宏;曾珽章;苏柏魁 | 申请(专利权)人: | 贝尔威勒电子股份有限公司;江苏贝翰电子有限公司 |
| 主分类号: | H01R13/40 | 分类号: | H01R13/40;H01R13/46;H01R12/73;H01R43/00;H01R43/20 |
| 代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张秋越 |
| 地址: | 中国台湾桃园县桃*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 强化 端子 结合 结构 高度 连接器 及其 制法 | ||
1.一种强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器,其特征在于,包括:
一绝缘本体,其上设有一插入口,该绝缘本体相对于该插入口一侧形成一上排端子座、而相对于该插入口另一侧则形成一下排端子座,且该下排端子座较该上排端子座而延伸于该插入口外;
多个上排端子,设于该上排端子座;及
多个下排端子,设于该下排端子座;
其中,该下排端子座上形成一包覆部,通过该包覆部将各该下排端子结合于该下排端子座上。
2.如权利要求1所述的强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器,其特征在于,该下排端子座上形成有凹入部,且该包覆部填补于所述凹入部内并覆盖其上。
3.如权利要求2所述的强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器,其特征在于,所述凹入部位于该下排端子座的任一侧处或中段处上。
4.如权利要求2所述的强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器,其特征在于,所述凹入部上设有贯孔。
5.如权利要求2所述的强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器,其特征在于,该下排端子座近所述凹入部边缘处设有沟槽。
6.如权利要求2所述的强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器,其特征在于,该上排端子座上设有多个上排端子槽,以供该等上排端子分别设于各该上排端子槽内。
7.如权利要求2或6所述的强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器,其特征在于,该下排端子座上设有多个对排端子槽,以供该等下排端子分别设于各该下排端子槽内。
8.如权利要求7所述的强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器,其特征在于,各该下排端子皆具有一固定段、一由所述固定段一端延伸的接触段、以及一由所述固定段另一端延伸的焊接段,所述固定段即被该包覆部包覆于各该下排端子槽内,以供所述接触段朝向该插入口延伸而入,而所述焊接段则由该下排端子座外侧延伸而出。
9.如权利要求8所述的强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器,其特征在于,该下排端子座较该上排端子座为薄。
10.一种如权利要求1所述的强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器的制法,其特征在于,该包覆部以热加压工艺所成形。
11.如权利要求10所述的强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器的制法,其特征在于,所述热加压工艺为热压成型、模内射出或一体成型。
12.如权利要求10所述的强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器的制法,其特征在于,步骤包括:
成型该绝缘本体;
将该等下排端子固定于该绝缘本体上;
通过热压成型以于该下排端子座上形成所述包覆部。
13.如权利要求12所述的强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器的制法,其特征在于,该等下排端子由一料带上予以截断而成形。
14.如权利要求10所述的强化下排端子结合结构的低高度卡缘连接器的制法,其特征在于,该等下排端子与该绝缘本体以模内射出而形成所述包覆部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贝尔威勒电子股份有限公司;江苏贝翰电子有限公司,未经贝尔威勒电子股份有限公司;江苏贝翰电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210220825.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





