[发明专利]MOS晶体管及其形成方法、SRAM存储单元电路

权利要求书

1.一种MOS晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的栅极结构，位于所述栅极结构一侧的半导体衬底内的第一沟槽和位于所述栅极结构另一侧的半导体衬底内的第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽内填充满应力材料，且所述第一沟槽的侧壁与半导体衬底表面垂直，第二沟槽的侧壁向沟道区一侧突出。

2.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，当所述MOS晶体管为NMOS晶体管时，所述应力材料为碳化硅。

3.如权利要求2所述的MOS晶体管，其特征在于，所述碳化硅中碳元素的摩尔百分比含量范围为0%~50%。

4.如权利要求3所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第二沟槽内的碳化硅中碳元素的摩尔百分比含量大于所述第一沟槽内的碳化硅中碳元素的摩尔百分比含量。

5.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，当所述MOS晶体管为PMOS晶体管时，所述应力材料为锗硅。

6.如权利要求5所述的MOS晶体管，其特征在于，所述锗硅中锗元素的摩尔百分比含量范围为0%~70%。

7.如权利要求6所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第二沟槽内的锗硅中锗元素的摩尔百分比含量大于所述第一沟槽内的锗硅中锗元素的摩尔百分比含量。

8.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极结构；

在所述栅极结构一侧的半导体衬底内形成第一沟槽，在所述栅极结构另一侧的半导体衬底内形成第二沟槽，所述第一沟槽的侧壁与半导体衬底表面垂直，第二沟槽的侧壁向沟道区一侧突出；

在所述第一沟槽和第二沟槽内填充满应力材料，所述第一沟槽和第二沟槽内的应力材料形成源区和漏区。

9.如权利要求8所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述第一沟槽和第二沟槽的具体工艺包括：

在所述半导体衬底和栅极结构表面形成硬掩膜层，所述硬掩膜层暴露出栅极结构两侧的半导体衬底表面；

以所述硬掩膜层为掩膜，对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行干法刻蚀，形成第一沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽和第三沟槽的侧壁与半导体衬底表面垂直；

在所述半导体衬底和栅极结构表面形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出第三沟槽；

对所述第三沟槽进行湿法刻蚀，形成第二沟槽，所述第二沟槽的侧壁向沟道区一侧突出。

10.如权利要求8所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，在所述第一沟槽和第二沟槽内填充满应力材料的工艺为选择性外延工艺。

11.如权利要求8所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，当所述MOS晶体管为PMOS晶体管时，所述应力材料为锗硅。

12.如权利要求11所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽内的锗硅分步形成，且所述第二沟槽内锗硅中的锗元素的摩尔百分比含量大于第一沟槽内锗硅中的锗元素的摩尔百分比含量。

13.如权利要求8所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，当所述MOS晶体管为NMOS晶体管时，所述应力材料为碳化硅。

14.如权利要求13所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽内的碳化硅分步形成，且所述第二沟槽内碳化硅中的碳元素的摩尔百分比含量大于第一沟槽内碳化硅中的碳元素的摩尔百分比含量。