[发明专利]一种薄膜磁阻传感器元件及薄膜磁阻电桥有效
| 申请号： | 201210205391.1 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102721427A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 王建国 | 申请（专利权）人： | 无锡乐尔科技有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12;G01R33/09;G01R17/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 磁阻 传感器 元件 电桥 | ||
1.一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：其结构依次包括下电极、种子层、反铁磁钉扎层、磁性被钉扎层结构、非磁性隔离层、磁性自由层、保护层、上电极、偏磁层。
2.如权利要求1所述的一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：所述反铁磁钉扎层的材料是MnIr、MnPt或MnFe。
3.如权利要求1所述的一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：所述磁性钉扎层的材料是CoFeB、 CoFe, 或是SAF结构CoFe/Ru/CoFe、CoFe/Ru/CoFeB/Ta/CoFeB。
4.如权利要求1所述的一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：所述非磁性隔离层的材料是Cu、AlO、MgO、HfO、 ZrO或TaO。
5.如权利要求1所述的一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：所述磁性自由层其材料是CoFeB、CoFe、CoFeB/NiF、CoFe/NiFe、CoFeB/Ta/NiFe或CoFe/Ta/NiFe。
6.如权利要求1所述的一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：所述偏磁层其材料是CoCrPt、CoPt、FePt，或由其组成的多层膜结构Ru/CoPt/Ru/CoPt， Ta/CoPt/Ta/CoPt，Ta/FePt/Ta/FePt，Ru/FePt/Ru/FePt。
7.如权利要求1所述的一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：所述磁性被钉扎层的磁矩方向与磁性自由层的磁矩方向相互垂直；所述磁性自由层的磁矩方向受偏置层所产生磁场的偏置，从而垂直于磁性被钉扎层的磁矩方向。
8.一种薄膜磁阻电桥半桥，其特征在于：其包括两个如权利要求1-6中任一项所述的薄膜磁阻传感器元件；该两个薄膜磁阻传感器元件的磁性被钉扎层的磁矩方向相互反平行，而磁性自由层的磁矩方向相互平行。
9.一种薄膜磁阻电桥全桥，其特征在于：其结构包括四个如权利要求1-6中任一项所述的薄膜磁阻传感器元件；所述四个薄膜磁阻传感器元件中，两个的磁性被钉扎层的磁矩方向相互平行并与另外两个薄膜磁阻传感器元件的磁性被钉扎层的磁矩方向反平行，并分别位于全桥的一边，而四个薄膜磁阻传感器元件的磁性自由层的磁矩方向相互平行。
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