[发明专利]硬质基板、触控面板及硬质基板的处理方法有效
| 申请号: | 201210199950.2 | 申请日: | 2012-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN103513799A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
| 发明(设计)人: | 李佳鸿;吴明坤;郭恒嘉 | 申请(专利权)人: | 联胜(中国)科技有限公司;胜华科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;C03C15/00 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 523808 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硬质 面板 处理 方法 | ||
1.一种硬质基板,其特征在于,包括一离子强化表面层,完整地包覆于该硬质基板的全表面,且该硬质基板具有一蚀刻壁,其中该离子强化表面层在该蚀刻壁的平均深度与其在该蚀刻壁以外的表面的平均深度实质上相同。
2.根据权利要求1所述的硬质基板,其特征在于,该蚀刻壁的平均表面粗糙度由0.03um至0.8um。
3.根据权利要求1所述的硬质基板,其特征在于,该蚀刻壁包括多个裂隙,且这些裂隙的孔径大小由3微米至15微米。
4.根据权利要求1所述的硬质基板,其特征在于,该蚀刻壁包括多个裂隙,该离子强化表面层的平均深度实质上大于这些裂隙的平均深度。
5.一种触控面板,其特征在于,包括:
一硬质基板,该硬质基板包括一离子强化表面层,完整地包覆于全表面,且该硬质基板具有一蚀刻壁,且该离子强化表面层在该蚀刻壁的平均深度与其在该蚀刻壁以外的表面的平均深度实质上相同;以及
一触控元件,配置于该硬质基板上。
6.根据权利要求5所述的触控面板,其特征在于,该蚀刻壁的平均表面粗糙度由0.03um至0.8um。
7.根据权利要求5所述的触控面板,其特征在于,该蚀刻壁包括多个裂隙,且这些裂隙的孔径大小由3微米至15微米。
8.根据权利要求5所述的触控面板,其特征在于,该蚀刻壁包括多个裂隙,该离子强化表面层的平均深度实质上大于这些裂隙的平均深度。
9.根据权利要求5所述的触控面板,其特征在于,该触控面板还包括一装饰图案层,配置于该硬质基板上,且该装饰图案层实质上位于该触控元件周边。
10.一种硬质基板的处理方法,其特征在于,包括:
对一硬质母板进行一机械加工或材料移除处理以形成至少一硬质基板初坯,使该硬质基板初坯具有一切割壁;
对该切割壁进行一蚀刻处理而使该切割壁成为一蚀刻壁;以及
对该硬质基板进行一次性的离子强化处理使该硬质基板初坯的全表面完整地包括一离子强化表面层以形成一硬质基板,其中该离子强化表面层在该蚀刻壁的平均深度实质上相同于在该蚀刻壁以外的表面的平均深度。
11.根据权利要求10所述的硬质基板的处理方法,其特征在于,对该切割壁进行该蚀刻处理的步骤包括贴附一抗蚀层于该硬质基板初坯上并使该抗蚀层暴露出该切割壁;以及将暴露出来的该蚀刻壁接触一蚀刻液。
12.根据权利要求10所述的硬质基板的处理方法,其特征在于,该硬质基板初坯的材质为玻璃而该蚀刻液为氢氟酸。
13.根据权利要求10所述的硬质基板的处理方法,其特征在于,进行该离子强化处理之前还包括将该抗蚀层移除。
14.根据权利要求10所述的硬质基板的处理方法,其特征在于,该切割壁的平均表面粗糙度由1.0um至3um,而该蚀刻壁的的平均表面粗糙度由0.03um至0.8um。
15.根据权利要求10所述的硬质基板的处理方法,其特征在于,进行该离子强化处理的步骤包括将该硬质基板整体地接触于一离子强化液。
16.根据权利要求10所述的硬质基板的处理方法,其特征在于,该机械加工或材料移除处理包括切割、磨边、凿孔、导角、图案化蚀刻以及抛光工序的至少其中之一。
17.根据权利要求10所述的硬质基板的处理方法,其特征在于,该蚀刻处理过程是使用一干蚀刻媒介或一湿蚀刻媒介而进行,且该干蚀刻媒介包括含氟气体或等离子体,而该湿蚀刻媒介包括至少含氢氟酸或含氟的溶剂。
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