[发明专利]缓冲电路和具有该缓冲电路的逆变器

权利要求书

1.一种逆变器，包括：

逆变单元，用于对直流母线电压进行逆变，所述逆变单元包括按顺序串联连接在直流母线正电压端子和直流母线负电压端子之间的第一外管、第一内管、第二内管和第二外管；

第一缓冲单元，其连接在所述直流母线负电压端子和所述第一内管之间，用于抑制所述第一内管的电压应力；以及

第二缓冲单元，其连接在所述直流母线正电压端子和所述第二内管之间，用于抑制所述第二内管的电压应力。

2.根据权利要求1所述的逆变器，其中

所述第一缓冲单元包括并联连接到所述第一内管的两端的第一缓冲支路以及连接在所述第一缓冲支路和所述直流母线负电压端子之间的第一放电单元；以及

所述第二缓冲单元包括并联连接到所述第二内管的两端的第二缓冲支路以及连接在所述第二缓冲支路和所述直流母线正电压端子之间的第二放电单元。

3.根据权利要求2所述的逆变器，其中

所述第一缓冲支路包括串联连接的第一缓冲电容器和第一缓冲二极管；

所述第二缓冲支路包括串联连接的第二缓冲电容器和第二缓冲二极管；

所述第一放电单元包括第一放电二极管，其连接在位于所述第一缓冲电容器和所述第一缓冲二极管之间的节点和所述直流母线负电压端子之间；以及

所述第二放电单元包括第二放电二极管，其连接在位于所述第二缓冲电容器和所述第二缓冲二极管之间的节点和所述直流母线正电压端子之间。

4.根据权利要求3所述的逆变器，其中

所述第一缓冲电容器的一端与所述第一缓冲二极管的阳极相连接；

所述直流母线负电压端子与所述第一放电二极管的阳极相连接；

所述第二缓冲电容器的一端与所述第二缓冲二极管的阴极相连接；以及

所述直流母线正电压端子与所述第二放电二极管的阴极相连接。

5.根据权利要求3所述的逆变器，其中

所述第一放电单元进一步包括第一电阻器，其连接在所述第一放电二极管和所述直流母线负电压端子之间；以及

所述第二放电单元进一步包括第二电阻器，其连接在所述第二放电二极管和所述直流母线正电压端子之间。

6.根据权利要求5所述的逆变器，其中

所述第一缓冲电容器的一端与所述第一缓冲二极管的阳极相连接；

所述第一电阻器的一端与所述第一放电二极管的阳极相连接；

所述第二缓冲电容器的一端与所述第二缓冲二极管的阴极相连接；以及

所述第二电阻器的一端与所述第二放电二极管的阴极相连接。

7.根据权利要求1至6任一所述的逆变器，其中

位于所述第一内管和所述第二内管之间的节点经由电感器和电容器连接到中线；

两个二极管在串联连接之后与所述第一内管和所述第二内管串联连接而形成的支路并联连接，并且位于所述两个二极管之间的节点连接到所述中线；以及

两个电容器在串联连接之后与所述第一外管、所述第一内管、所述第二内管和所述第二外管串联连接而形成的支路并联连接，并且位于所述两个电容器之间的节点连接到所述中线。

8.根据权利要求7所述的逆变器，其中，所述第一内管、第二内管、第一外管和第二外管均采用MOSFET器件或IGBT器件。

9.根据权利要求7所述的逆变器，其中

所述第一内管、第二内管、第一外管和第二外管均由MOSFET器件或IGBT器件和二极管构成；以及

所述二极管的阴极和阳极分别连接到所述MOSFET器件的源极和漏极或者所述IGBT器件的集电极和发射极。

10.一种逆变器的缓冲电路，包括：

第一缓冲单元，其连接在直流母线负电压端子和所述逆变器的第一内管之间，用于抑制所述第一内管的电压应力；以及

第二缓冲单元，其连接在直流母线正电压端子和所述逆变器的第二内管之间，用于抑制所述第二内管的电压应力。