[发明专利]一种发光元件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，其包括：

一基板；

一第一电极，位于所述基板上；

一发光结构，位于所述第一电极上，所述发光结构包含一第一非本征半导体层、一第二非本征半导体层及一介于所述第一非本征半导体层与所述第二非本征半导体层之间的主动层；

一第一绝缘层，位于所述发光结构的侧壁；以及

一第二电极，连接所述第一非本征半导体层；

其中，所述第一电极包含一位于所述第一绝缘层侧壁上的第一分支。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一电极进一步包括：

一第二分支，位于所述第一绝缘层下：以及

一第三分支，位于所述第二非本征半导体层的边缘。

3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述第一电极进一步包括：

一导电材料层，位于所述第二非本征半导体层下。

4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一电极的第一分支具有一斜面，所述斜面与所述发光结构的表面形成45至90度的夹角。

5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，进一步包括：

一粘胶层，位于所述基板与所述第二非本征半导体层之间。

6.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述粘胶层在所述第二分支的下的厚度小于0.5μm，所述粘胶层在所述第二非本征半导体层的下的厚度介于1.3μm与1.6μm之间，且所述粘胶层在所述第二电极的下的厚度介于2μm与3.5μm之间。

7.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述基板进一步包含：

一反射层，位于所述基板上；及

一第二绝缘层，位于所述反射层上。

8.根据权利要求1项所述的发光元件，其特征在于，所述第二非本征半导体层具有粗糙的表面结构。

9.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一非本征半导体层包含一n型氮化镓，所述第二非本征半导体层包含一p型氮化镓。

10.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述发光结构进一步包含：

一本征半导体层，形成于所述发光结构的最上层，且所述本征半导体层具有粗糙的表面结构。

11.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述主动层具有多重量子井的结构。

12.一种制作发光元件的方法，其特征在于，包括下列步骤：

(A)提供一第一基板；

(B)提供一发光结构，其形成于一第二基板上，所述发光结构包含一第一非本征半导体层、一主动层、及一第二非本征半导体层；

(C)形成一电极层于所述发光结构上；

(D)对所述电极层及所述发光结构进行蚀刻，定义出所述发光元件的发光区域图案，并外露出部分的所述第一非本征半导体层；

(E)形成一第一电极垫于所述第一非本征半导体层的所述外露部分上及一第二电极垫于所述电极层的边缘；

(F)形成一保护层于上述被蚀刻的所述电极层及所述发光结构的侧壁；

(G)形成一导电部于所述保护层的侧壁上，并连接所述导电部与所述第二电极垫；

(H)通过一粘着剂将具有所述发光结构的所述第二基板与所述第一基板面对面粘贴在一起；

(I)移除所述第二基板；以及

(J)对所述发光结构进行图案化处理，以外露出所述第一电极垫及所述导电部。

13.根据权利要求12所述的制作发光元件的方法，其特征在于，在步骤(J)的前更包括下列步骤：

(J0)对所述发光结构的表面施以粗糙化处理。

14.根据权利要求12所述的制作发光元件的方法，其特征在于，进一步包括下列步骤：

(K)垫高所述第一电极垫及所述导电部。