[发明专利]具高电流增益的异质接面双极晶体管结构及其加工方法

权利要求书

1.一种异质接面双极晶体管结构，其特征在于，包括：

一基板；

一p型掺杂缓冲层，是形成于该基板之上；

一次集极层，是形成于该p型掺杂缓冲层之上；

一集极层，是形成于该次集极层之上；

一基极层，是形成于该集极层之上；

一射极层，是形成于该基极层之上；

一集极电极，是设置于该次集极层的一端；

一基极电极，是设置于该基极层的一端；

一射极电极，是设置于该射极层之上。

2.根据权利要求1所述的异质接面双极晶体管结构，其特征在于，构成该p型掺杂缓冲层的材料为砷化镓、砷化铝镓、磷化铟镓、磷化铟铝、磷砷化铟镓或磷化铝镓铟。

3.根据权利要求1所述的异质接面双极晶体管结构，其特征在于，该p型掺杂缓冲层的掺杂材料是选自于由下列所组成的群组：碳、锌、镁、铍、硅、硫、碲、以及上述材料的组合物。

4.根据权利要求1所述的异质接面双极晶体管结构，其特征在于，该p型掺杂缓冲层的厚度为大于小于

5.根据权利要求1所述的异质接面双极晶体管结构，其特征在于，介于该射极层与该射极电极之间，更设置一射极覆盖层。

6.根据权利要求5所述的异质接面双极晶体管结构，其特征在于，介于该射极覆盖层与该射极电极之间，更设置一射极接触层。

7.根据权利要求1所述的异质接面双极晶体管结构，其特征在于，介于该射极层与该射极电极之间，更设置一射极接触层。

8.一种异质接面双极晶体管改良结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

于一基板上，依序形成一p型掺杂缓冲层、一次集极层、一集极层、一基极层、一射极层；

以曝光显影技术定义出一基极电极接触区，并对该基极电极接触区进行蚀刻，通过控制蚀刻加工，使蚀刻终止于该基极层；

于该基极电极接触区之内，以曝光显影技术定义出一集极电极接触区，并对该集极电极接触区进行蚀刻，通过控制蚀刻加工，使蚀刻终止于该次集极层；

在该集极电极接触区内设置一集极电极，并使该集极电极与该次集极层形成欧姆接触；

在该基极电极接触区内，该基极层之上，设置一基极电极，并使该基极电极与该基极层形成欧姆接触；以及

在该射极层上，设置一射极电极。

9.根据权利要求8所述的加工方法，其特征在于，构成该p型掺杂缓冲层的材料为砷化镓、砷化铝镓、磷化铟镓、磷化铟铝、磷砷化铟镓或磷化铝镓铟。

10.根据权利要求8所述的加工方法，其特征在于，该p型掺杂缓冲层的掺杂材料是选自于由下列所组成的群组：碳、锌、镁、铍、硅、硫、碲、以及前述材料的组合物。

11.根据权利要求8所述的加工方法，其特征在于，该p型掺杂缓冲层的厚度是大于小于

12.根据权利要求8所述的加工方法，其特征在于，该射极电极是与该射极层形成欧姆接触。

13.根据权利要求8所述的加工方法，其特征在于，介于该射极层与该射极电极之间，更设置一射极覆盖层。

14.根据权利要求13所述的加工方法，其特征在于，该射极电极是与该射极覆盖层形成欧姆接触。

15.根据权利要求13所述的加工方法，其特征在于，介于该射极覆盖层与该射极电极之间，更设置一射极接触层，且该射极电极是与该射极接触层形成欧姆接触。

16.根据权利要求8所述的加工方法，其特征在于，介于该射极层与该射极电极之间，更设置一射极接触层，且该射极电极是与该射极接触层形成欧姆接触。