[发明专利]移位寄存器单元、移位寄存器电路、阵列基板及显示器件有效
| 申请号: | 201210177631.1 | 申请日: | 2012-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN102708799A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
| 发明(设计)人: | 金泰逵;王颖;金馝奭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 移位寄存器 单元 电路 阵列 显示 器件 | ||
技术领域
本发明涉及显示装置制造领域,尤其涉及移位寄存器单元、移位寄存器电路、阵列基板及显示器件。
背景技术
随着显示技术的不断发展,近些年的显示器发展逐渐呈现出了高集成度,低成本的发展趋势。其中一项非常重要的技术就是GOA(Gate Driver on Array,阵列基板行驱动)技术的量产化的实现。利用GOA技术将TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)栅极开关电路集成在显示面板的阵列基板上以形成对显示面板的扫描驱动,从而可以省掉栅极驱动集成电路部分,其不仅可以从材料成本和制作工艺两方面降低产品成本,而且显示面板可以做到两边对称和窄边框的美观设计。同时由于可以省去Gate方向邦定Bonding的工艺,对产能和良率提升也较有利。这种利用GOA技术集成在阵列基板上的栅极开关电路也称为GOA电路或移位寄存器电路。
由于GOA电路具有上述的优点,目前的有机发光二级管OLED显示器已越来越多地利用GOA电路作为像素电路阵列TFT的栅极的行选通控制信号。对于OLED显示器而言,由于OLED为电流驱动器件,通过控制流入OLED器件的电流通路即可以控制OLED器件的发光。为了对OLED的驱动电流进行精确的控制,通常会在像素电路的基础上增加一个驱动TFT,用于对OLED器件的电流进行精确控制。
这样一种电路的不足之处在于,当GOA电路驱动像素电路的瞬间还会向OLED器件输入驱动电流,这将导致在写入显示数据的同时,OLED显示器件发生闪烁,从而影响产品的质量。
发明内容
本发明的实施例提供一种移位寄存器单元、移位寄存器电路、阵列基板及显示器件,可以避免在写入显示数据的同时,OLED显示器件发生闪烁。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例的一方面,提供一种移位寄存器单元,包括:
一第一上拉单元,所述第一上拉单元与高电平端、第一时钟信号端和控制节点A相连。
一第一下拉单元,所述第一下拉单元与低电平端、第二时钟信号端、输入信号端、所述上拉单元、第一输出端和所述控制节点A相连。
一下拉开关单元,所述下拉开关单元与所述高电平端、所述低电平端、所述第一时钟信号端、所述第二时钟信号端和控制节点B相连。
一第二下拉单元,所述第二下拉单元与所述低电平端、所述控制节点B和所述第二输出端相连。
一第二上拉单元,所述第二上拉单元与所述高电平端、所述控制节点A和所述第二输出端相连。
其中,所述第一上拉单元用于在所述第一时钟信号端输入低电平时拉高所述控制节点A的电平;所述第一下拉单元用于在所述第二时钟信号端和所述输入信号端均输入低电平时拉低所述控制节点A的电平;所述下拉开关单元用于在所述第一时钟信号端输入低电平时拉低所述控制节点B的电平,在所述第二时钟信号端输入低电平时拉高所述控制节点B的电平;所述第二上拉单元用于在所述控制节点A为低电平时拉高所述第二输出端输出的电平,输出驱动信号;所述第二下拉单元用于在所述控制节点B为低电平时拉低所述第二输出端输出的电平,复位驱动信号。
所述第一上拉单元包括:
一第一上拉模块,所述第一上拉模块与所述高电平端、所述第一时钟信号端和控制节点C相连。
一第二上拉模块,所述第二上拉模块与所述高电平端、所述第一时钟信号端和控制节点D相连。
一第三上拉模块,所述第三上拉模块与所述高电平端、所述第一时钟信号端和控制节点A相连。
相应的,所述第一下拉单元包括:
一第一下拉模块,所述第一下拉模块与所述输入信号端和所述控制节点C相连。
一第二下拉模块,所述第二下拉模块与所述第二时钟信号、所述控制节点C和所述控制节点D相连。
一第三下拉模块,所述第三下拉模块与所述低电平端、所述控制节点D和所述控制节点A相连。
其中,所述第一输出端与所述控制节点D相连。
所述第一上拉模块包括:一第一晶体管,所述第一晶体管的栅极连接所述第一时钟信号端,所述第一晶体管的源极连接所述高电平端,所述第一晶体管的漏极连接所述控制节点C。
所述第二上拉模块包括:一第二晶体管,所述第二晶体管的栅极连接所述第一时钟信号端,所述第二晶体管的源极连接所述高电平端,所述第二晶体管的漏极连接所述控制节点D。
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