[发明专利]SOI MOS晶体管

权利要求书

1.一种SOI MOS晶体管，包括：

有源区（307），形成于SOI衬底（300）的SOI层中；

栅极（302），覆盖部分的有源区（307）；

源区（303）和漏区（304），分别位于栅极（302）长度方向两侧的有源区（307）中，其中源区（303）和漏区（304）的与栅极交界的部分的宽度相等；其中

被栅极覆盖的有源区（307）的部分包括，以源区（303）和漏区（304）的与栅极（302）交界的部分的宽度在源区（303）和漏区（304）之间延伸的沟道区（306），其中有源区（307）包括至少两个梳齿状突出部（305），在沟道区（306）的长度方向上以一定的间隔排列在沟道区（306）在宽度方向上的一侧或两侧；其中，梳齿状突出部（305）的末端未被栅极（302）覆盖的部分为体接触区。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，在沟道区（306）在宽度方向上的每一侧都具有至少两个梳齿状突出部（305）。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中，栅极（302）的形状为矩形。