[发明专利]复合阳极键合方法有效

专利信息
申请号: 201210151575.4 申请日: 2012-05-16
公开(公告)号: CN102659071A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 潘明强;陈涛;刘吉柱;陈立国;孙立宁 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: B81C3/00 分类号: B81C3/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 复合 阳极 方法
【权利要求书】:

1.一种复合阳极键合方法,该方法包括预处理工序及阳极键合工序,其特征在于:所述预处理工序为介质阻挡等离子体放电界面活化预处理工序,所述介质阻挡等离子体放电界面活化预处理工序与阳极键合工序集成在同一工位上,该复合阳极键合方法的具体步骤包括:

(1)设置工作台温度;

(2)设置介质阻挡放电参数,所述介质阻挡放电参数包括放电间隙、放电电压、放电时间;

(3)设置阳极键合参数,所述阳极键合参数包括键合电压、键合时间、键合压力;

(4)按照阳极键合要求将硅片或玻璃夹持在一固定工作台上,并将玻璃体或硅片夹持在一可动工作台上;

(5)可动工作台带动玻璃体或者硅片运动在键合界面形成放电间隙,施加放电电压完成对被键合界面的放电等离子体预处理工序;

(6)去掉放电电压的同时可动工作台带动玻璃体或者硅片运动达到键合要求,施加键合电压进行阳极键合;

(7)键合完成后拆下被键合件。

2.根据权利要求1所述的复合阳极键合方法,其特征在于:所述工作台加热的温度范围为250-350℃。

3.根据权利要求1所述的复合阳极键合方法,其特征在于:所述介质阻挡放电参数中放电间隙的范围为1-500μm。

4.根据权利要求1所述的复合阳极键合方法,其特征在于:所述介质阻挡放电参数中放电电压的范围为DC500-2000V或者AC500-2000V/10-1000Hz。

5.根据权利要求1所述的复合阳极键合方法,其特征在于:所述介质阻挡放电参数中放电时间的范围为0.1-20s。

6.根据权利要求1所述的复合阳极键合方法,其特征在于:所述阳极键合参数中键合电压的范围为DC500-2000V。

7.根据权利要求1所述的复合阳极键合方法,其特征在于:所述阳极键合参数中键合时间的范围为1-1000s。

8.根据权利要求1所述的复合阳极键合方法,其特征在于:所述阳极键合参数中键合压力的范围为0.1-50g。

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