[发明专利]一种多层陶瓷电容器研磨工艺及其应用有效
| 申请号： | 201210139567.8 | 申请日： | 2012-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102642170A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘新;安可荣;黄作权;陈长云;李筱瑜;靳国境;黄旭业;彭自冲 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B31/14 | 分类号： | B24B31/14 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉;周端仪 |
| 地址： | 526020 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 陶瓷 电容器 研磨 工艺 及其 应用 | ||
1.一种多层陶瓷电容器研磨工艺，其特征在于：研磨的芯片为烧结成瓷前芯片，磨介为水和表面活性剂，其中芯片∶水∶表面活性剂的体积比为200~650∶500~800∶5~20，运行曲线为：转速35~65RPM下运行15~25分钟，转速55~85RPM运行15~25分钟，转速110~150RPM下运行110~150MIN。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器研磨工艺，其特征在于：所述的研磨工艺还包括返磨，返磨的芯片为经过研磨、排胶、烧成后的成瓷芯片，磨介为氧化铝粉或碳化硅粉、氧化铝球、石英砂和水，其中成瓷芯片∶氧化铝粉或碳化硅粉∶氧化铝球∶石英砂∶水的体积比为200~650∶200~500∶200~500∶200~500∶500~800，运行曲线为：转速35~65RPM下运行15~25分钟，转速55~85RPM运行15~25分钟，转速110~150RPM下运行55~85分钟。
3.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷电容器研磨工艺，其特征在于：所述的表面活性剂选自离子型表面活性剂。
4.一种多层陶瓷电容器的制备方法，包括切割、排胶、烧结、封端步骤，其特征在于：电容器的芯片在切割后排胶前进行研磨。
5.根据权利要求4所述的一种多层陶瓷电容器的制备方法，所述的研磨采用权利要求1所述的研磨工艺。
6.根据权利要求4所述的一种多层陶瓷电容器的制备方法，其特征在于：所述的芯片在研磨后先吹干其表面的水分，再进入下一个排胶步骤。
7.根据权利要求4所述的一种多层陶瓷电容器的制备方法，其特征在于：电容器的芯片在烧结后进行返磨。
8.根据权利要求7所述的一种多层陶瓷电容器的制备方法，所述的返磨采用权利要求2所述的返磨工艺。
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