[发明专利]N型太阳能电池片及其制造方法

权利要求书

1.一种N型太阳能电池片制造方法，包括电池片表面的制绒过程、扩散制结过程、周边等离子刻蚀过程、沉积减反射膜过程和印刷电极过程，其特征在于，

在扩散制结过程中，采用扩散工艺形成N型重掺杂背场，所述背场的表面掺杂浓度大于常规N型太阳能电池片的背场表面掺杂浓度；

在印刷电极过程中，采用银铝浆制作所述电池片正面和背面的栅线。

2.根据权利要求1所述的N型太阳能电池片制造方法，其特征在于，所述背场的表面掺杂浓度在5E20cm^-31.3E21cm^-3以内。

3.根据权利要求2所述的N型太阳能电池片制造方法，其特征在于，所述背场的表面掺杂浓度在9.5E20cm^-3～1.3E21cm^-3以内。

4.根据权利要求2所述的N型太阳能电池片制造方法，其特征在于，所述背场的掺杂深度在0.3μm～2μm以内。

5.根据权利要求4所述的N型太阳能电池片制造方法，其特征在于，所述背场的掺杂深度在0.8μm～1.2μm以内。

6.根据权利要求2所述的N型太阳能电池片制造方法，其特征在于，所述银铝浆中铝的浓度在0.5％～5％以内。

7.根据权利要求1所述的N型太阳能电池片制造方法，其特征在于，所述沉积减反射膜过程为，先后在电池片的正面和背面均进行减反射膜的沉积。

8.根据权利要求7所述的N型太阳能电池片制造方法，其特征在于，所述减反射膜为富氢的氮化硅薄膜、富氢的氮氧化硅薄膜和富氢的氮化钛薄膜中的至少一种。

9.一种采用权利要求1-8任一项所述的方法制造的N型太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片N型背场的表面掺杂浓度大于常规N型太阳能电池片的背场表面掺杂浓度，所述太阳能电池片的栅线材料为银铝浆。

10.根据权利要求9所述的N型太阳能电池片，其特征在于，所述N型背场的表面掺杂浓度在5E20cm^-3～1.3E21cm^-3以内，所述银铝浆中铝的浓度在0.5％～5％以内。