[发明专利]彩色滤光结构及其制造方法有效
| 申请号: | 201210108770.9 | 申请日: | 2012-04-10 |
| 公开(公告)号: | CN103208497A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
| 发明(设计)人: | 翁福田;郑杰元;吴翰林 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/20;G03F7/00 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 彩色 滤光 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种彩色滤光结构的制造方法,包括:
提供一底层;
形成一第一色彩层于该底层之上;
图案化该第一色彩层,形成一对第一色彩图案于该底层之上、一第一开口位于该对第一色彩图案之间,以及一第二开口邻近该对第一色彩图案;
形成一第一介电层于该对第一色彩图案之上以及于为该第一开口与该第二开口所露出的该底层之上;
形成一第二色彩层于该对第一色彩图案以及该第一介电层之上;
图案化该第二色彩层,形成一第二色彩图案于该第一开口内;
形成一第二介电层于该第一介电层与该第二色彩图案之上;
形成一第三色彩层于该第二介电层之上;以及
图案化该第三色彩层,形成一第三色彩图案于该第二开口内。
2.如权利要求1所述的彩色滤光结构的制造方法,还包括:
形成一第三介电层于该第二介电层与该第三色彩图案之上;
形成一层遮光材料于该第三介电层之上;以及
图案化该层遮光材料,形成多个遮光图案。
3.如权利要求2所述的彩色滤光结构的制造方法,其中图案化该层遮光材料是由一蚀刻而达成。
4.如权利要求2所述的彩色滤光结构的制造方法,其中该第一介电层、该第二介电层与该第三介电层是由化学气相沉积所形成,而该化学气相沉积是于低于200℃的一温度下施行。
5.一种彩色滤光结构,包括:
一对第一色彩图案;
一第二色彩图案,位于该对第一色彩图案之间;
一第三色彩图案,邻近该对第一色彩图案;
一第一介电层,位于该对第一色彩图案之上;以及
一第二介电层,位于该第一介电层与该第二色彩图案之上。
6.如权利要求5所述的彩色滤光结构,其中该第一色彩图案、该第二色彩图案与该第三色彩图案包括非感光型色阻,而该非感光型色阻包括了染料型色阻或颜料型色阻,而该第一色彩图案、该第二色彩图案与该第三色彩图案包括择自由红色、蓝色、与绿色所组成的族群或择自由洋红色、青蓝色与黄色所组成族群的不同颜色,而该第一色彩图案、该第二色彩图案与该第三色彩图案具有半圆形或长方形的一剖面。
7.如权利要求5所述的彩色滤光结构,还包括多个遮光图案,其中所述多个遮光图案分别形成于该第一色彩图案与该第三色彩图案之间,以及于该第一色彩图案与该第二色彩图案之间。
8.如权利要求5所述的彩色滤光结构,其中该第一介电层、该第二介电层与该第三介电层具有少于50埃的一厚度,而该第一介电层、该第二介电层与该第三介电层具有约1.4-1.6的一折射率。
9.如权利要求5所述的彩色滤光结构,还包括一第三介电层以作为一底层,其中该对第一色彩图案形成于该第三介电层之上,而该第一介电层、该第二介电层与该第三介电层位于该第三色彩图案的下方。
10.一种彩色滤光结构的制造方法,包括:
(a)形成一介电层;
(b)形成一色彩层于该介电层之上;
(c)形成一硬掩模图案于该色彩层之上;
(d)图案化该色彩层并利用该硬掩模图案以形成一色彩图案;
(e)移除该硬掩模图案;
(f)重复步骤(a)-(e);以及
(g)重复步骤(a)一(e)。
11.如权利要求10所述的彩色滤光结构的制造方法,其中图案化该色彩层包括使用氧气作为一蚀刻气体。
12.如权利要求10所述的彩色滤光结构的制造方法,还包括重复步骤(a)-(e)以形成一黑矩阵图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于采钰科技股份有限公司,未经采钰科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210108770.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高功率白LED及其制造方法
- 下一篇:多芯片堆栈的封装件及其制法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





