[发明专利]一种晶硅太阳能电池去死层方法

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池去死层方法，其特征在于含有以下步骤；

步骤1；将原硅片进行制绒；

步骤2；进行扩散；

步骤3；进行等离子刻蚀；

步骤4；进行去磷硅；

步骤5；进行HNO₃腐蚀；

步骤6；进行去磷硅；

步骤7；进行PECVD镀膜；

步骤8；进行丝印烧结；

步骤9；进行测试分选；

溶液配比及浸泡时间均可以调整；

所配溶液为HNO₃(类别：EL；含量：65.0-68.0％)∶H₂O(纯水)＝1∶2或1∶3；

硅片在硝酸溶液中浸泡时间2min-5min，之后再进行去离子水洗为2min。

2.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池去死层方法，其特征在于浸泡时间为2min或4min。

3.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池去死层方法，其特征在于在去磷硅步骤后添加去死层步骤；

扩散后的硅片经过HF液去磷硅清洗后，表面是重掺磷的硅片，把硅片浸入硝酸后会产生极薄的SiO₂氧化层，由于没有HF参与反应，故反应有自停止作用；

然后再通过去磷硅工艺，即可去除一层含高浓度磷的硅；

也可重复同样流程来控制的腐蚀量。

4.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池去死层方法，其特征在于含有以下依次进行的步骤；扩散后的硅片步骤；等离子刻蚀步骤；去磷硅步骤；HNO₃腐蚀步骤；去磷硅步骤；PECVD镀膜步骤；丝印烧结步骤；测试分选步骤；

扩散后的硅片步骤：主要是通过单/双面液态磷源扩散，制作N型发射极区，以形成光电转化的基本机构——PN结；

等离子刻蚀的步骤：在高频辉光放电的条件下，甲烷跟氧气气体分解成活性原子和自由基(等离子体)，对硅片周边进行化学和物理的作用，生成挥发性的反应物，以刻蚀掉周边的N型区；

去磷硅步骤：去除硅片表面氧化层及扩散室形成的磷硅玻璃(磷硅玻璃是指掺有五氧化二磷的二氧化硅层)，起反应过程是氢氟酸跟二氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体；若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络合物六氟硅酸；

PECVD镀膜步骤：制作减少硅片表面反射的氮化硅薄膜；利用高频电源辉光放电产生等离子体，并将其注入到硅片中，使硅片中悬挂键饱和，缺陷失去活性，达到表面钝化和体钝化的目的；

丝印烧结步骤：通过丝网印刷的方法，完成背场、背电极、正栅线电极的制作，来引出产生的光生电流；具体为给硅片表面印刷一定图形的银浆或者铝浆，通过烧结后形成欧姆接触，使电流有效输出；

测试分选步骤：按电流和功率工艺参数大小进行分类。

5.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池去死层方法，其特征在于步骤1中：

HF∶HNO₃∶H₂O＝40L∶260L∶150L，3Si+4HNO₃+18HF＝H₂SiF₆+2H₂O通过化学反应制作良好的绒面；

步骤2中：利用三氯氧磷(POCl₃)液态源扩散POCl₃在高温下(＞600℃)分解生成五氯化磷(PCl₅)和五氧化二磷(P₂O₅₎，生成的P₂O₅在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅(SiO₂)和磷原子；POCl₃分解产生的P₂O₅淀积在硅片表面，P₂O₅与硅反应生成SiO₂和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散；扩散温度在900℃左右；

步骤3中，CF₄中掺入O₂，这样有利于提高Si和SiO₂的刻蚀速率；CF₄∶O₂＝210sccm∶21sccm，辉光功率500w，辉光时间1000s；

步骤4中HF∶H₂O＝1∶6.时间350s；

步骤5、6为去死层工艺步骤；

步骤7中镀膜过程使用硅烷跟氨气，其配比、反应时间根据不同情况调试；工作功率3000w。