[发明专利]一种实现电压检测的装置和方法

权利要求书

1.一种实现电压检测的装置，其特征在于，输入电压由地电压开始上升，所述装置包括：

电压检测模块(200)，用于对输入电压的检测，当输入电压由地电压上升到预设电压时，电压检测模块的输出状态发生翻转；

输出模块(201)，用于对电压检测模块的输出进行缓冲，将缓冲后的输出作为所述装置的输出；

控制模块(202)，用于当检测到输出模块的输出状态翻转的情况下，开启自锁开关对输出模块的输出进行锁定；

启动模块(203)，在输入电压上升的初始阶段，形成一个电压检测模块的输出端到输入电压的低阻抗通路，用于关闭控制模块中的自锁开关和开启电压检测模块，使装置进入正常的电压检测工作状态。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，电压检测模块包括第二NMOS管和第三NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管；

第一PMOS管的源极耦合到输入电压，第一PMOS管的栅极和漏极、第三NMOS管的栅极耦合到第一节点(301)；第二PMOS管的源极耦合到第二节点(303)；第二NMOS管的源极和第二PMOS管的栅极耦合到地电压，第二NMOS管的栅极和漏极以及第三NMOS管的源极耦合到第三节点(305)，第三NMOS的漏极与第二PMOS管的漏极耦合到电压检测模块的输出节点(304)。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，电压检测装置还包括一电阻；所述电阻耦合在第一节点(301)和第四节点(302)之间。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，输出模块包括第四PMOS管和第五NMOS管；

所述第四PMOS管和第五NMOS管组成一个反相器，反相器的输入端为电压检测模块的输出节点(304)，反相器的输出端为输出模块的输出节点(306)，第四PMOS管的源极与输入电压耦合，第五NMOS管的源极与地电压耦合。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，控制模块包括第四NMOS管；第四NMOS管的源极和第四节点(302)耦合到地电压，第四NMOS管的漏极耦合到电压检测模块的输出节点(304)，第四NMOS管的栅极耦合到输出模块的输出节点(306)，第二节点(303)耦合到输入电压。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，控制模块进一步用于当检测到所述装置输出模块的输出状态翻转的情况下，对所述装置断电。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，控制模块包括第一、第四NMOS管和第三PMOS管；

第一和第四NMOS管的源极耦合到地电压，第一NMOS管的栅极和第四NMOS管的漏极耦合到电压检测模块的输出节点(304)，第一NMOS管的漏极耦合到第四节点(302)，与电压检测模块相连，第四NMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极耦合到输出模块的输出节点(306)，第三PMOS管的源极耦合到输入电压，其漏极耦合到第二节点(303)，与电压检测模块相连。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，启动模块包括一电容；所述电容的一端耦合到输入电压，另一端耦合到电压检测模块的输出节点(304)。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该装置还包括：在电源检测模块的输出端和输出模块的输出端之间插入延时电路。

10.一种实现电压检测的装置，其特征在于，输入电压由地电压开始上升，所述装置包括：第一、第二、第三、第四和第五NMOS管、第一、第二、第三和第四PMOS管、一电容和一电阻；

第一、第三和第四PMOS管的源极、所述电容的一端均耦合到输入电压，第一PMOS管的栅极和漏极、第三NMOS管的栅极耦合到所述电阻的一端；第一NMOS管的漏极耦合到所述电阻的另一端；第二PMOS管的源极耦合到第三PMOS管的漏极；第二PMOS管的栅极、第一、第二、第四和第五NMOS管的源极耦合到地电压，第二NMOS管的栅极和漏极耦合到第三NMOS管的源极；第二PMOS管、第三和第四NMOS管的漏极、第四PMOS管、第一和第五NMOS管的栅极耦合到所述电容的另一端；第三PMOS管和第四NMOS管的栅极、第四PMOS管的漏极耦合到第五NMOS管的漏极，作为装置的输出端。