[发明专利]一种半导体器件低温固态键合的方法有效
| 申请号： | 201210086084.6 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102610537A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 陆钦;李明;胡安民;章文婧;陈卓 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 低温 固态 方法 | ||
1.一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）选择具有相互匹配的电互连焊盘的至少两个待键合元件；
2）在一待键合元件的多个焊盘上形成铜微针锥群；
3）在另一待键合元件的多个焊盘上形成至少表面设有低硬度第二金属层的凸点；
4）将所述凸点与所述铜微针锥群匹配，并使所述凸点与所述铜微针锥群接触，将所述凸点与所述铜微针锥群的接触部分加热到第一温度，施加键合压力使所述凸点与所述铜微针锥群电互连键合。
2.如权利要求1所述的一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，所述铜微针锥群可通过化学沉积法、电沉积法或气相沉积法在焊盘表面形成。
3.如权利要求1所述的一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，所述铜微针锥群的高度为1μm-5μm。
4.如权利要求1所述的一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，步骤2）还包括：在所述铜微针锥群表面设置防氧化层。
5.如权利要求4所述的一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，所述防氧化层可通过电沉积法或气相沉积法设置在所述铜微针锥群表面。
6.如权利要求4所述的一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，所述防氧化层包括Au、Pt、Ag或Pd的金属单质或合金。
7.如权利要求4所述的一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，所述防氧化层的厚度为5nm-50nm。
8.如权利要求1所述的一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，所述键合压力为1 - 30 MPa。
9.如权利要求1所述的一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，步骤4）中施加键合压力的时间为10 s - 20 min。
10.如权利要求1所述的一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，所述第二金属层的材质包括铟、锡、铟合金或锡合金。
11.如权利要求1所述的一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，所述第二金属层通过电沉积法、化学沉积法、气相沉积法或涂敷法设置在所述凸点表面。
12.如权利要求1所述的一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，所述第一温度低于所述第二金属层的熔点。
13.如权利要求3所述的一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，同一焊盘上的微针锥高度基本一致。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210086084.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：工业应用的圆形插接器
- 下一篇：发光器件、用于发光器件的光学元件、以及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
