[发明专利]对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的装置及方法有效
| 申请号: | 201210081754.5 | 申请日: | 2012-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN103364694A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
| 发明(设计)人: | 王磊 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12;G01R31/26 |
| 代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 测量 范围 击穿 电压 进行 装置 方法 | ||
1.一种对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的方法,其特征在于,包含:
步骤1、设置电压测量范围在0~±U1之间的第一源-测量单元(SMU1);
设置电压测量范围在0~±U2之间的第二源-测量单元(SMU2);
设置电压测量范围在0~±U2之间的第三源-测量单元(SMU3);
配合使用所述的第一、第二源-测量单元,或配合使用所述的第一到第三源-测量单元对场效应管进行漏源击穿电压测试,使得测试时所述场效应管的漏极和源极之间的电压在0 ~ a范围内调整,其中电压值a = |U1| + |U2|,且a大于等于该场效应管标称的漏源击穿电压;
步骤2、由所述第二源-测量单元(SMU2),向所述场效应管的源极施加源极电压US,所述源极电压US的调整范围为 -U2 ≤US ≤ 0;
由所述第二源-测量单元(SMU2)或所述第三源-测量单元(SMU3),向所述场效应管的栅极施加栅极电压UG,并且,使所述栅极电压UG与所述源极电压US的数值相等;
步骤3、由所述第一源-测量单元(SMU1),向所述场效应管的漏极施加一个恒定的、达到特定值的漏极电流ID;
再由所述第一源-测量单元(SMU1)测量此时所述场效应管的漏极电压UD;所测得的漏极电压UD在0 ≤UD ≤U1的范围内;
步骤4、计算测得的所述漏极电压UD,与给出的源极电压US的差值,即UDS=UD-US,得到所述场效应管实际的漏源击穿电压。
2.如权利要求1所述对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的方法,其特征在于,所述场效应管的漏极电流ID的特定值是250μA。
3.一种对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的方法,其特征在于,包含:
步骤1、设置电压测量范围在0~±U1之间的第一源-测量单元(SMU1);
设置电压测量范围在0~±U2之间的第二源-测量单元(SMU2);
设置电压测量范围在0~±U2之间的第三源-测量单元(SMU3);
配合使用所述的第一、第二源-测量单元,或配合使用所述的第一到第三源-测量单元对场效应管进行漏源击穿电压测试,使得测试时所述场效应管的漏极和源极之间的电压在0 ~ a范围内调整,其中电压值a = |U1| + |U2|,且a大于等于该场效应管标称的漏源击穿电压;
步骤2、由所述第二源-测量单元(SMU2),向所述场效应管的源极施加源极电压US,所述源极电压US的调整范围为 -U2 ≤US ≤ 0;
由所述第二源-测量单元(SMU2)或所述第三源-测量单元(SMU3),向所述场效应管的栅极施加栅极电压UG,并且,使所述栅极电压UG与所述源极电压US的数值相等;
步骤3、由所述第一源-测量单元(SMU1)在0 ≤UD ≤U1的范围内进行电压扫描,来向所述场效应管的漏极施加漏极电压UD;
由所述第一源-测量单元(SMU1)测量所述场效应管的漏极电流ID,再由所述第二源-测量单元(SMU2)测量所述场效应管的源极电流IS;
步骤4、当测得的漏极电流ID和源极电流IS都达到同一个特定值时,停止电压扫描,并记录此时所述第一源-测量单元(SMU1)输出的漏极电压UD;
计算所述漏极电压UD与所述源极电压US的差值,即UDS=UD-US,得到所述场效应管实际的漏源击穿电压。
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