[发明专利]异质接面太阳能电池及其电极有效
| 申请号: | 201210080696.4 | 申请日: | 2012-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN103187454A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
| 发明(设计)人: | 陈建勋;范佳铭;吴建良;萧睿中;吴德清;林景熙 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/074 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 祁建国;尚群 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 异质接面 太阳能电池 及其 电极 | ||
1.一种异质接面太阳能电池的电极,其特征在于,包括:
一基板,其具有一第一织构表面;
一掺杂氧化锌层,配置于该第一织构表面上,且具有一第二织构表面,其中该掺杂氧化锌层的X光绕射图形的最大绕射峰为(10-11)峰。
2.如权利要求1所述的异质接面太阳能电池的电极,其特征在于,该第一织构表面包括多个突起,其中各该突起的底部的长度介于1μm~20μm之间,且各该突起的高度介于1μm~20μm之间。
3.如权利要求1所述的异质接面太阳能电池的电极,其特征在于,该第二织构表面包括多个突起,其中各该突起的底部的长度介于10nm~500nm之间,且各该突起的高度介于10nm~500nm之间。
4.如权利要求1所述的异质接面太阳能电池的电极,其特征在于,该掺杂氧化锌层的折射系数介于1~4之间。
5.如权利要求1所述的异质接面太阳能电池的电极,其特征在于,该掺杂氧化锌层的厚度介于1μm~2μm之间。
6.如权利要求1所述的异质接面太阳能电池的电极,其特征在于,该掺杂氧化锌层的X光绕射图形还包括(10-10)峰。
7.如权利要求1所述的异质接面太阳能电池的电极,其特征在于,该掺杂氧化锌层的X光绕射图形还包括(11-20)峰。
8.如权利要求1所述的异质接面太阳能电池的电极,其特征在于,该掺杂氧化锌层的掺质包括硼、氟、铝、镓或铟。
9.一种异质接面太阳能电池,其特征在于,包括:
一晶体硅基板,其为第一导电型,且具有彼此相对的一第一表面以及一第二表面,其中该第一表面为一第一织构表面;
一掺杂非晶硅层,共形地配置于该第一表面上,其中该掺杂非晶硅层为第二导电型;
一第一电极层,配置于该掺杂非晶硅层上,且具有一第二织构表面,其中该第一电极层的材料为掺杂氧化锌,且该第一电极层的X光绕射图形的最大绕射峰为(10-11)峰;
一背面电场层,配置于该第二表面上,其中该背面电场层为第一导电型;以及
一第二电极层,配置于该背面电场层上。
10.如权利要求9所述的异质接面太阳能电池,其特征在于,该第一织构表面包括多个突起,且各该突起的底部的长度介于1μm~20μm之间,而各该突起的高度介于1μm~20μm之间。
11.如权利要求9所述的异质接面太阳能电池,其特征在于,该第二织构表面包括多个突起,且各该突起的底部的长度介于10nm~500nm之间,而各该突起的高度介于10nm~500nm之间。
12.如权利要求9所述的异质接面太阳能电池,其特征在于,还包括一本质非晶硅层,位于该晶体硅基板与该掺杂非晶硅层之间。
13.如权利要求9所述的异质接面太阳能电池,其特征在于,该第一电极层的折射系数介于1~4之间。
14.如权利要求9所述的异质接面太阳能电池,其特征在于,该第一电极层的厚度介于1μm~2μm之间。
15.如权利要求9所述的异质接面太阳能电池,其特征在于,该第一电极层的X光绕射图形还包括(10-10)峰。
16.如权利要求9所述的异质接面太阳能电池,其特征在于,该第一电极层的X光绕射图形还包括(11-20)峰。
17.如权利要求9所述的异质接面太阳能电池,其特征在于,该掺杂氧化锌的掺质包括硼、氟、铝、镓或铟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





