[发明专利]一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶及其制备方法有效
| 申请号： | 201210073988.5 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN102560646A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 余学功;肖承全;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 电阻率 均匀 铸造 硅单晶 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶的方法，其特征在于：将无位错的原料单晶硅块铺满坩埚底部，再将多晶硅料、磷掺杂剂和镓放入坩埚中，升温熔融多晶硅料、磷掺杂剂、镓和靠近多晶硅的部分原料单晶硅块，利用铸造法生长硅单晶体。
2.如权利要求1所述的制备掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶的方法，其特征在于：所述的无位错原料单晶硅块的厚度为5～20mm。
3.如权利要求1所述的制备掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶的方法，其特征在于：所述的磷掺杂剂为磷粉或磷硅母合金。
4.如权利要求1所述的制备掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶的方法，其特征在于：所述的熔融以及铸造法生长硅单晶在真空或氩气的保护下进行。
5.如权利要求1所述的制备掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶的方法，其特征在于：所述的多晶硅料为高纯电子级硅料。
6.如权利要求1所述的制备掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶的方法，其特征在于：所述的多晶硅料为冶金级补偿硅料。
7.如权利要求1～6任一项所述的制备掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶的方法制备得到的N型铸造硅单晶。
8.如权利要求7所述的N型铸造硅单晶，其特征在于，电子净掺杂浓度为2.0e15～5.0e15cm-3。
9.如权利要求8所述的N型铸造硅单晶，其特征在于，电阻率为1.0～2.0Ω.cm。
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