[发明专利]密封用树脂片及用其的半导体装置、该半导体装置的制法无效

专利信息
申请号: 201210033171.5 申请日: 2012-02-14
公开(公告)号: CN102683297A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 小田高司;盛田浩介;千岁裕之 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L21/56
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 密封 树脂 半导体 装置 制法
【权利要求书】:

1.一种密封用树脂片,其特征在于,其是以半导体装置为对象、用于对其布线电路基板与半导体元件之间的空隙进行树脂密封的密封用树脂片,所述半导体装置是在使设置于半导体元件的连接用电极部与设置于布线电路基板的连接用端子相向的状态下,在所述布线电路基板上搭载半导体元件而成的,所述密封用树脂片包括(α)含有无机填充剂的环氧树脂组合物层与(β)不含有无机填充剂的环氧树脂组合物层的二层结构,且所述(α)层与(β)层具有下述的特性(x)~(z),

(x)所述(α)层的、选自60~125℃的层压温度下的熔融粘度为1.0×102~2.0×104Pa·s,所述(β)层的、选自60~125℃的层压温度下的熔融粘度为1.0×103~2.0×105Pa·s,

(y)所述(β)层的熔融粘度与(α)层的熔融粘度的差[(β)层-(α)层]为1.5×104Pa·s以上,

(z)所述密封用树脂片的(β)层的厚度以所述连接用电极部的高度(h)为基准,为1/3h~4/5h。

2.根据权利要求1所述的密封用树脂片,其中,所述密封用树脂片的(α)层的厚度以所述连接用电极部的高度(h)为基准,为1/2h~2/3h。

3.根据权利要求1或2所述的密封用树脂片,其中,所述(α)层由含有环氧树脂、酚醛树脂、弹性体成分和无机填充剂的环氧树脂组合物形成,所述(β)层由含有环氧树脂、酚醛树脂和弹性体成分的环氧树脂组合物形成。

4.一种半导体装置,其特征在于,其是在使设置于半导体元件的连接用电极部与设置于布线电路基板的连接用端子相向的状态下,在所述布线电路基板上搭载半导体元件而成的半导体装置,通过包括含无机填充剂层与不含无机填充剂层的二层结构的密封树脂层,所述布线电路基板与半导体元件之间的空隙以所述含无机填充剂层位于半导体元件侧的方式来进行树脂密封,所述密封树脂层由权利要求1~3中的任一项所述的密封用树脂片形成。

5.一种半导体装置的制法,其特征在于,其具备如下工序:准备带剥离片的密封用树脂片的工序,所述带剥离片的密封用树脂片是在剥离片的单面以权利要求1~3中的任一项所述的密封用树脂片的(β)层直接层叠的方式层叠所述密封用树脂片而成的;在设有连接用电极部的半导体元件面上贴附所述带剥离片的密封用树脂片、加压,从而将带剥离片的密封用树脂片贴合于设有连接用电极部的半导体元件上的工序;将所述剥离片剥离后,在设有连接用端子的布线电路基板上,以使所述设置于半导体元件的连接用电极部与设置于布线电路基板的连接用端子相向的方式在所述布线电路基板之上载置带密封用树脂片的半导体元件,进行加压的工序;通过将所述密封用树脂片加热固化,从而对所述布线电路基板与半导体元件之间的空隙进行树脂密封的工序。

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