[发明专利]低K介电层和成孔剂

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成第一材料；以及

在所述第一材料内形成第二材料，其中所述第二材料是成孔剂，所述成孔剂包括单键比例大于约80％的有机环结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述成孔剂包含碳原子小于15个的分子，所述成孔剂的粘度大于1.3厘泊，以及雷诺数小于0.5，所述成孔剂包含环辛烷。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括去除至少一部分的成孔剂以形成低k介电层，所述去除至少一部分的成孔剂进一步包括采用退火工艺加热所述成孔剂；或者

所述方法进一步包括去除至少一部分的成孔剂以形成低k介电层，且在所述低k介电层内形成开口，以及用导电材料填充所述开口。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在形成所述第一材料之前，在所述衬底上方形成缓冲层，所述在衬底上方形成第一材料的步骤是直接在所述缓冲层上形成所述第一材料，其中所述缓冲层和所述第一材料包含相同的化合物，所述方法进一步包括在形成所述缓冲层之前，在所述衬底上方形成介电层，所述形成缓冲层的步骤是直接在所述介电层上形成所述缓冲层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第二材料进一步包括在形成所述第二材料的整个过程中在恒定流速下引入所述成孔剂，其中形成所述第一材料进一步包括在形成所述第一材料的整个过程中在恒定流速下引入所述第一材料。

6.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

通过在衬底上共同沉积基体材料和成孔剂来形成前体层，所述成孔剂包含有机分子，所述有机分子具有碳环结构和小于15个的碳原子，其中每个所述碳原子之间的键仅仅是单键；以及

通过从所述前体层去除所述成孔剂由所述前体层形成第一介电层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述成孔剂的粘度大于1.3厘泊，所述成孔剂的雷诺数小于0.5，所述成孔剂是环辛烷。

8.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：在共同沉积所述基体材料和所述成孔剂之前，在所述衬底上方形成第二介电层，所述共同沉积基体材料和成孔剂的步骤是共同沉积与所述第二介电层物理接触的所述基体材料和所述成孔剂，所述方法进一步包括在形成所述第二介电层之前，在所述衬底上方形成接触蚀刻停止层，所述形成第二介电层的步骤是形成与所述接触蚀刻停止层物理接触的所述第二介电层，其中形成所述前体层进一步包括在形成所述前体层的整个过程中在恒定流速下引入所述成孔剂和所述基体材料。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；以及

介电层，位于所述衬底上方，所述介电层具有的硬度为至少2GPa，以及具有的k值小于约2.6。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述介电层具有的杨氏模量大于约14GPa。