[发明专利]半导体装置及用于制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置的方法，包括：

将包括连接导电膜的密封层放置在结构的表面上，使得所述连接导电膜与半导体元件的电极和引线相接触；

通过所述连接导电膜使所述电极与所述引线电耦接；以及

通过所述密封层密封所述半导体元件。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，还包括：

形成辅助层以填充所述电极与所述引线之间的间隙。

3.根据权利要求2所述的用于制造半导体装置的方法，

其中所述辅助层具有基本平坦的表面。

4.根据权利要求2所述的用于制造半导体装置的方法，

其中所述辅助层包括耐热树脂。

5.根据权利要求2所述的用于制造半导体装置的方法，还包括：

向所述电极和所述引线按压触所述膜。

6.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，还包括：

使用喷射型点胶机形成所述连接导电膜。

7.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，还包括：

通过电镀法形成所述连接导电膜。

8.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，还包括：

使用与所述表面的形状相配合的结构形成所述密封层；以及

去除所述结构。

9.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，

其中所述半导体元件包括化合物半导体元件。

10.一种半导体装置，包括：

引线和引线框架，在所述引线和所述引线框架的表面之间具有高度差；

化合物半导体元件，其被设置于所述引线框架上且包括电极；

辅助层，其用于填充所述电极、所述引线和所述引线框架之间的间隙；

连接导电膜，其用于通过所述辅助层电耦接所述电极和所述引线；以及

密封层，其用于密封所述半导体元件。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，

其中所述辅助层具有基本平坦的表面。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，

其中所述半导体元件包括化合物半导体元件。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，

其中所述辅助层包括耐热树脂。

14.一种电子电路，包括：

半导体装置，其包括：

引线和引线框架，在所述引线和所述引线框架的表面之间具有高度差；

化合物半导体元件，其被设置于所述引线框架上且包括电极；

辅助层，其用于填充所述电极、所述引线和所述引线框架之间的间隙；

连接导电膜，其用于通过所述辅助层电耦接所述电极和所述引线；以及

密封层，其用于密封所述半导体元件。

15.根据权利要求14所述的电子电路，其中

所述电子电路包括高频放大器和电源电路中的至少一个，其中，所述高频放大器用于放大高频电压输入，所述电源电路包括变压器、高电压电路和低电压电路。