[发明专利]一种检测光刻机焦距偏移的方法

权利要求书

1.一种检测光刻机焦距偏移的方法，在光刻机正常工作时，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：曝光一参考晶圆，根据该曝光后的参考晶圆上的图形建立一扫描电子显微镜的量测程式，并设置该曝光后参考晶圆上的图形为参考图形；

步骤S2：设置曝光条件随着光刻机焦距变化而变化，曝光测试晶圆，并设置该曝光后的测试晶圆上的图形为测量图形；

步骤S3：通过上述量测程式，建立测量图形与参考图形的相似度分值和光刻机焦距之间的关系曲线，并确定作为警报点的相似度分值；

步骤S4：将警报点的相似度分值输入至量测程式，并利用该量测程式进行后续光刻工艺中光刻机焦距偏移量的检测。

2.根据权利要求1所述的检测光刻机焦距偏移的方法，其特征在于，步骤S4中还包括，采用扫描电子显微镜进行后续光刻工艺中光刻机焦距偏移量的检测，当检测到曝光后晶圆上的图形与参考图形相似度分值高于警报点，则光刻机焦距正常，继续后续光刻工艺；反之，则触发警报，停止当前工艺。

3.根据权利要求1或2所述的检测光刻机焦距偏移的方法，其特征在于，扫描电子显微镜在做图形量测的同时还能进行测量图形与参考图形的相似度分值的测量。

4.根据权利要求1或2所述的检测光刻机焦距偏移的方法，其特征在于，相似度分值越高，测量图形与参考图形相似度越高。

5.根据权利要求1所述的检测光刻机焦距偏移的方法，其特征在于，根据实际工艺需求设定作为警报点的相似度分值。