[发明专利]用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置有效

专利信息
申请号: 201210014647.0 申请日: 2009-08-07
公开(公告)号: CN102593035A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 余振华;黄见翎 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;H01L21/683;H01L21/67
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李琳;张龙哺
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 晶片 制造 工艺 承载 装置
【权利要求书】:

1.一种用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置,包括:

一导热层,设置于一支撑基座上,该导热层耦接至一加热电路;

多个孔洞,穿过该导热层及该支撑基座;以及

多个导热支撑杆,耦接至该加热电路且延伸穿过该孔洞并超出该导热层,每一所述导热支撑杆具有一顶端,用以与一晶片直接接触。

2.如权利要求1所述的用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置,其中每一所述导热支撑杆由设置于该支撑基座上的一弹性弹簧所支撑。

3.如权利要求1所述的用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置,其中每一所述导热支撑杆由设置于一升降平台上的一弹性弹簧所支撑,该升降平台悬挂自一升降马达模块的顶端。

4.如权利要求1所述的用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置,还包括一薄平面吸附电极,设置于该导热层中,该薄平面吸附电极耦接至一直流电压源。

5.如权利要求1所述的用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置,还包括一薄平面吸附电极,设置于该导热层中,该薄平面吸附电极耦接至一交流电压源。

6.如权利要求1所述的用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置,还包括多个第二孔洞,穿过该导热层,所述多个第二孔洞连接至一个或更多个真空源,提供吸力以将该晶片固定在该导热层上。

7.如权利要求1所述的用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置,还包括多个晶片基底固定夹,固定在该支撑基座的一边缘上。

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