[发明专利]用于非平面晶体管的夹层电介质有效
| 申请号： | 201180075347.7 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103975424A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | S·普拉丹;J·卢斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/31 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 平面 晶体管 夹层 电介质 | ||
技术领域
本说明的实施例总体上涉及微电子器件制造的领域，更具体地，涉及在非平面晶体管中的第一级夹层电介质(interlayer dielectric)材料层的制造。
附图说明
在说明书的结束部分中特别指出并明确要求了本公开内容的主题。依据以下的说明和所附权利要求书并结合附图，本公开内容的在前的及其他特征会变得更充分地显而易见。应当理解，附图仅示出了根据本公开内容的几个实施例，因此不应认为限制本公开内容的范围。通过使用附图，将借助额外的特征和细节来描述本公开内容，以便更易于确定本公开内容的优点，在附图中：
图1是根据本说明的实施例的非平面晶体管的透视图。
图2示出了形成在微电子衬底中或上的非平面晶体管鳍片的侧视截面图。
图3示出了根据本说明的实施例的在图2的非平面晶体管鳍片之上沉积的牺牲材料的侧视截面图。
图4示出了根据本说明的实施例的沟槽的侧视截面图，所述沟槽形成在所沉积的牺牲材料中以露出图3的非平面晶体管鳍片的一部分。
图5示出了根据本说明的实施例的在图4的沟槽中形成的牺牲栅极的侧视截面图。
图6示出了根据本说明的实施例的在去除了图5的牺牲材料之后的牺牲栅极的侧视截面图。
图7示出了根据本说明的实施例的在图6的牺牲栅极和微电子衬底之上沉积的保形电介质层的侧视截面图。
图8示出了根据本说明的实施例的从图7的保形电介质层形成的栅极隔离物的侧视截面图。
图9示出了根据本说明的实施例的在图8的栅极隔离物的任一侧上的非平面晶体管鳍片中所形成的源极区和漏极区的侧视截面图。
图10示出了根据本说明的实施例的在图9的结构上所形成的粘附层的侧视截面图。
图11示出了根据本说明的实施例的在图10的栅极隔离物、牺牲栅极、非平面晶体管鳍片和微电子衬底之上沉积的第一夹层电介质材料层的侧视截面图。
图12示出了根据本说明的实施例的被氧化和退火的图11的第一夹层电介质材料层的侧视截面图。
图13示出了根据本说明的实施例的图12的结构的侧视截面图，其中，一部分第一夹层电介质材料层由图13的氧化和退火来硬化。
图14示出了根据本说明的实施例的在使得第一夹层电介质材料层平面化以露出牺牲栅极的顶表面之后的图13的结构的侧视截面图。
图15示出了根据本说明的实施例的在去除了牺牲栅极以形成栅极沟槽之后的图14的结构的侧视截面图。
图16示出了根据本说明的实施例的在栅极隔离物之间邻近非平面晶体管鳍片形成栅极电介质之后的图15的结构的侧视截面图。
图17示出了根据本说明的实施例的在图16的栅极沟槽中沉积的导电栅极材料的侧视截面图。
图18示出了根据本说明的实施例的在去除了过量导电栅极材料以形成非平面晶体管栅极之后的图17的结构的侧视截面图。
图19示出了根据本说明的实施例的在蚀刻掉一部分非平面晶体管栅极以形成凹陷的非平面晶体管栅极之后的图18的结构的侧视截面图。
图20示出了根据本说明的实施例的在将覆盖(capping)电介质材料沉积到由凹陷的非平面晶体管鳍片的形成所导致的凹陷中之后的图19的结构的侧视截面图。
图21示出了根据本说明的实施例的在去除了过量覆盖电介质材料以在非平面晶体管栅极上形成覆盖结构之后的图20的结构的侧视截面图。
图22示出了根据本说明的实施例的在图21的第一夹层电介质材料层、栅极隔离物和牺牲栅极顶表面之上沉积的第二夹层电介质材料层的侧视截面图。
图23示出了根据本说明的实施例的在图22的第二电介质材料上构图的蚀刻掩模的侧视截面图。
图24示出了根据本说明的实施例的通过图23的第一和第二电介质材料层形成的接触开口部的侧视截面图。
图25示出了根据本说明的实施例的在去除了蚀刻掩模之后的图24的结构的侧视截面图。
图26示出了根据本说明的实施例的在图25的接触开口部中沉积的导电接触材料的侧视截面图。
图27示出了根据本说明的实施例的在去除了过量导电接触材料以形成源极/漏极触点之后的图25的结构的侧视截面图。
图28示出了根据本说明的一个实现方式的计算设备。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180075347.7/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
