[发明专利]溅射设备和用于形成发光器件的透射导电层的方法无效
| 申请号: | 201180072891.6 | 申请日: | 2011-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN103814430A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
| 发明(设计)人: | 申永澈;金起范;许元九 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203;C23C14/35;H01L21/285 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张帆 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 溅射 设备 用于 形成 发光 器件 透射 导电 方法 | ||
1.一种用于形成发光器件的透射导电层的溅射设备,包括:
腔室;
靶容纳单元,其布置在所述腔室的一个内壁上;
衬底容纳单元,其与所述靶容纳单元相对形成;以及
由两层或更多层金属网形成的过滤器,其位于所述靶容纳单元和所述衬底容纳单元之间。
2.根据权利要求1所述的溅射设备,其中所述由两层或更多层金属网形成的过滤器的至少一层被用作接地电极。
3.根据权利要求1所述的溅射设备,其中所述由两层或更多层金属网形成的过滤器具有网眼图案或条纹图案的穿孔。
4.根据权利要求3所述的溅射设备,其中所述由两层或更多层金属网形成的过滤器具有彼此交替布置的开口部分。
5.根据权利要求3所述的溅射设备,其中在所述由两层或更多层金属网形成的过滤器中,金属部分的宽度为10μm至10mm,而穿孔的宽度为10μm至10mm。
6.根据权利要求3所述的溅射设备,其中所述过滤器与所述衬底容纳单元中所容纳的衬底之间的间隔为10至500mm。
7.一种用于形成发光器件的透射导电层的溅射方法,包括步骤:
制备衬底和靶;以及
通过溅射将所述靶的元素沉积在所述衬底上,
其中在溅射期间,由两层或更多层金属网形成的过滤器被提供在所述靶和所述衬底之间,并且所述过滤器的至少一层被用作接地电极。
8.根据权利要求7所述的溅射方法,其中所述溅射步骤包括:第一溅射处理和第二溅射处理,第一溅射处理以0.1至的沉积速率执行溅射,直到透射导电层的厚度达到10至在所述透射导电层的厚度达到10到之后,第二溅射处理以1至的沉积速率执行溅射,达到所述透射导电层的最终厚度。
9.根据权利要求7所述的溅射方法,其中所述由两层或更多层金属网形成的过滤器具有网眼图案或条纹图案的穿孔。
10.根据权利要求9所述的溅射方法,其中所述由两层或更多层金属网形成的过滤器具有彼此交替布置的开口部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





