[发明专利]由铝和硅前体沉积Al2O3/SiO2 叠层的方法

权利要求书

1.形成Al₂O₃/SiO₂叠层的方法，其相继包括下述步骤：

a）将基底供应到反应室中；

b）通过ALD法向反应室中注入至少一种含硅化合物，所述至少一种含硅化合物选自由下述物质组成的组：

BDEAS双(二乙基氨基)硅烷    SiH₂(NEt₂)₂,

BDMAS双(二甲基氨基)硅烷    SiH₂(NMe₂)₂,

BEMAS双(乙基甲基氨基)硅烷  SiH₂(NEtMe)₂,

DIPAS(二-异丙基酰氨基)硅烷 SiH₃(NiPr₂)，

DTBAS(二叔丁基酰氨基)硅烷  SiH₃(NtBu₂)；

c）向反应室中注入选自氧、臭氧、氧等离子体、水、CO₂等离子体、N₂O等离子体的氧源；

d）在20℃至400℃的温度、优选低于或等于250℃的温度在反应室中使至少一种含硅化合物和氧源反应，以获得沉积到基底上的SiO₂层；

e）通过ALD法在所述氧化硅膜上注入选自Al(Me)₃、Al(Et)₃、Al(Me)₂(OiPr)、Al(Me)₂(NMe)₂或Al(Me)₂(NEt)₂的至少一种含铝化合物；

f）注入如步骤c）中规定的氧源；

g）在20℃至400℃的温度、优选低于或等于250℃的温度在反应室中使至少一种含铝化合物和氧源反应，以获得沉积到获自步骤d）的SiO₂层上的Al₂O₃层。

2.根据权利要求1的方法，其中所述含硅化合物是

BDEAS双(二乙基氨基)硅烷  SiH₂(NEt₂)₂。

3.根据权利要求1或2的方法，其包括下述步骤：

-在步骤e)开始前重复步骤b)至d)，直至获得所需的SiO₂层厚度；和如果必要，

-重复步骤e)至g)，直至获得所需的Al₂O₃层厚度。

4.根据权利要求1至3之一的方法，其中SiO₂层具有1纳米至15纳米的厚度且Al₂O₃层具有30纳米的厚度。

5.根据权利要求1至4之一的方法，其包括下述步骤：

h）在氮气气氛中在400℃至900℃、优选400℃至425℃的温度将获自步骤g)的Al₂O₃/SiO₂叠层退火。

6.根据权利要求5的方法，其中退火步骤h)的持续时间不多于10分钟。