[发明专利]薄膜太阳能电池的制造方法及薄膜太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201180061745.3 申请日: 2011-11-08
公开(公告)号: CN103270426A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 立花伸介;棚村浩匡 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;H01L27/142;H01L31/20;H01L21/66
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:

在形成于基板(1)上的第一电极层(2)形成第一分离槽部(5、5A),从而形成各自电气性独立的多个第一电极部(2a)的工序(S101);

使测定端子(15)分别与所述多个第一电极部(2a)中的彼此邻接的第一电极部(2a)接触,从而确认所述邻接的第一电极部(2a)彼此之间的绝缘性的绝缘试验工序(S102);

在所述第一电极层(2)上形成光电转换层(3)的工序(S103);

在所述光电转换层(3)形成接触线用槽部(6)的工序(S104);

在所述光电转换层(3)上形成第二电极层(4),并且在所述接触线用槽部(6)内形成将所述第一电极层(2)与所述第二电极层(4)连接的接触线的工序(S105);

至少在所述第二电极层(4)形成第二分离槽部(7)的工序(S106);

形成从所述第二电极层(4)达到所述第一电极层(2)的、将发电区域与非发电区域分开的第三分离槽部(16)的工序(S107);

在所述第一电极部(2a)中,所述测定端子(15)所接触的区域包含在所述非发电区域内。

2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,

通过蚀刻形成所述第三分离槽部(16)。

3.如权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,

依次层积p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层而形成所述光电转换层(3)。

4.一种薄膜太阳能电池,其特征在于,包括:

基板(1);

形成在所述基板(1)上的第一电极层(2);

形成在所述第一电极层(2)上的光电转换层(3);

形成在所述光电转换层上的第二电极层(4);

将所述第一电极层(2)分开的第一分离槽部(5、5A);

将所述第一电极层(2)与所述第二电极层(4)连接的接触线;

至少将所述第二电极层(4)分开的第二分离槽部(7);

第三分离槽部(16),其从所述第二电极层(4)达到所述第一电极层(2),将发电区域与非发电区域分开;

所述第一电极层(2)包括被所述第一分离槽部(5、5A)分开且各自电气性独立的多个第一电极部(2a),

所述多个第一电极部(2a)分别具有与测定端子(15)接触的接触区域,所述测定端子(15)为确认相互邻接的第一电极部(2a)彼此之间的绝缘性而抵接,

所述接触区域位于所述非发电区域内。

5.如权利要求4所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,

在所述接触区域中,存在不与所述第三分离槽部(16)的形成区域重叠的部分。

6.如权利要求4或5所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,

所述光电转换层(3)具有依次层积有p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层的层积结构。

7.如权利要求4至6中任一项所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,

所述非发电区域以包围在所述发电区域的周围的方式设置,

所述非发电区域的内边缘位于距所述基板的边缘6.4mm以上、30mm以下的范围内。

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