[发明专利]无芯衬底处理中的电解沉积和通孔填充在审
| 申请号: | 201180056593.8 | 申请日: | 2011-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN103229294A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
| 发明(设计)人: | 吴涛;N.R.瓦茨 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/48 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 曲卫涛;朱海煜 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 处理 中的 电解 沉积 填充 | ||
1. 一种方法,包括:
提供包括金属的核芯;
在所述核芯上形成电介质材料;
在所述电介质材料中形成通孔,所述通孔定位成曝露金属区域;
执行在所述通孔中以及在所述金属区域上电解电镀金属的步骤,其中所述核芯在在所述通孔中电解电镀金属期间电耦合到电源,并将电流传输至所述金属区域;以及
在在所述通孔中电解电镀金属之后去除所述金属核芯。
2. 如权利要求1所述的方法,还包括:在所述核芯上形成电介质材料之前,
在所述金属核芯上形成图案化的光刻胶层;
执行在所述图案化的光刻胶层的开口中电解电镀至少一个金属层的步骤,其中所述核芯在在所述开口中电解电镀所述至少一个金属层期间电耦合到电源,并将电流传输至所述开口中的所述至少一个金属层;以及
去除所述图案化的光刻胶层,
其中在所述核芯上形成电介质材料包括在所述核芯以及所述至少一个金属层上定位所述电介质材料。
3. 如权利要求1所述的方法,还包括:
执行在所述电介质层上和所述通孔中的金属上无电解镀金属层的步骤;
在所述无电解镀金属层上形成图案化的抗蚀剂层以便定义导电迹线区域;以及
执行在所述导电迹线区域上电解电镀金属的步骤,以便形成导电迹线。
4. 如权利要求3所述的方法,还包括:
在所述导电迹线和所述电介质层上形成额外的电介质层;
在所述额外的电介质层中形成额外通孔,所述额外通孔定位成从所述导电迹线接触底层金属;以及
执行在所述额外通孔中的所述底层金属上电解电镀金属的步骤,其中所述核芯在在所述底层金属上电解电镀所述金属期间电耦合到电源,并将电流传输至所述底层金属。
5. 如权利要求4所述的方法,还包括:
执行在所述额外电介质层上以及在所述额外通孔中的底层金属上的电解电镀金属上额外地无电解镀额外金属层的步骤;
在所述额外的无电解镀金属层上形成图案化的抗蚀剂层以便定义额外的导电迹线区域;以及
执行在所述额外导电迹线区域上电解电镀金属的步骤,以便形成额外的导电迹线。
6. 如权利要求5所述的方法,还包括在所述额外导电迹线和所述额外电介质层上形成图案化的焊料抗蚀剂层,在所述图案化的焊料抗蚀剂层中包含开口。
7. 如权利要求6所述的方法,其中所述图案化的焊料抗蚀剂层中的所述开口曝露所述额外导电迹线的部分,并且执行在所述额外导电迹线的曝露部分上电解电镀金属的步骤以便形成表面处理层,其中所述核芯在在所述额外导电迹线的曝露部分上电解电镀金属期间电耦合到电源并向所述曝露部分传输电流。
8. 如权利要求7所述的方法,其中在在所述开口中电解电镀金属之后去除所述核芯以便形成所述表面处理层。
9. 一种方法,包括:
提供包括金属的核芯;
在所述核芯上形成电介质材料;
在所述电介质材料中形成通孔,所述通孔定位成曝露金属区域;
执行在所述通孔中的所述金属区域上电解电镀金属的步骤;
其中所述核芯在在所述通孔中的所述金属区域上电解电镀金属期间耦合到电源并传输电流;
其中在在所述通孔中的所述金属区域上电解电镀金属期间,所述核芯用作电镀母线;
在在所述通孔中电解沉积所述金属之后,在所述电介质材料和填充后的通孔上形成导电迹线;
在所述导电迹线上形成焊料抗蚀剂层并在所述焊料抗蚀剂层中提供开口,所述开口曝露额外的金属区域;
通过在所述焊料抗蚀剂层中的开口中的额外金属区域上电解电镀金属来形成金属表面处理层,其中所述核芯在在所述开口中的所述额外金属区域上电解电镀金属期间耦合到电源并向所述额外金属区域传输电流;以及
在所述额外金属区域上电解电镀金属之后去除所述核芯。
10. 如权利要求9所述的方法,还包括:在形成所述表面处理层之前,在所述焊料抗蚀剂层中的开口中的至少一个开口上形成保护层,其中所述保护层由在电解电镀过程期间不会被金属电镀的材料形成。
11. 如权利要求9所述的方法,还包括:在形成所述表面处理层之后,去除所述保护层。
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