[发明专利]用于沉积含锰膜的二-吡咯-2-醛亚胺化锰前体

权利要求书

1.一种用于在基质上沉积含锰的膜的方法，包括如下步骤：

a)提供反应器和至少一种置于反应器中的基质；

b)向反应器中引入至少一种具有下式的含锰前体的蒸气：

其中R¹至R⁵各自独立地选自H；直链或支化的C₁-C₄烷基；直链、支化或环状的C₁-C₄烷基甲硅烷基；C₁-C₄烷基氨基；以及直链、支化或环状的C₁-C₄氟烷基；

c)将至少部分的蒸气沉积到基质上以形成含锰的膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中含锰前体是选自：

二(2-亚胺甲基吡咯基)锰(II)

二(2-甲基亚胺甲基吡咯基)锰(II)

二(2-乙基亚胺甲基吡咯基)锰(II)

二(2-异丙基亚胺甲基吡咯基)锰(II)

二(2-正丙基亚胺甲基吡咯基)锰(II)

二(2-正丁基亚胺甲基吡咯基)锰(II)

二(2-仲丁基亚胺甲基吡咯基)锰(II)

二(2-异丁基亚胺甲基吡咯基)锰(II)

二(2-叔丁基亚胺甲基吡咯基)锰(II)，以及

二(2-三甲基甲硅烷基丁基亚胺甲基吡咯基)锰(II)，

优选是二(2-异丙基亚胺甲基吡咯基)锰(II)。

3.如权利要求1或2所述的方法，进一步包括使反应器保持在约100℃至约500℃之间的温度，优选约150℃至约350℃。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，进一步包括使反应器保持在约1Pa至约10⁵Pa之间的压力，优选约25Pa至约10³Pa。

5.如权利要求1-4任一项所述的方法，进一步包括将至少一种反应物引入所述反应器中。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述反应物是选自H₂、NH₃、SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、SiH₂Me₂、SiH₂Et₂、N(SiH₃)₃、氢自由基和它们的混合物。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述反应物是选自O₂、O₃、H₂O、NO、N₂O、氧自由基和它们的混合物。

8.如权利要求5所述的方法，其中将所述含锰前体和反应物基本上同时地引入腔室，并且所述腔室设计用于化学气相沉积。

9.如权利要求5所述的方法，其中将所述包含锰前体和反应物接连地引入腔室，并且所述腔室设计用于原子层沉积。

10.如权利要求8或9所述的方法，其中所述腔室设计用于等离子体加强的原子层沉积或者等离子体加强的化学气相沉积。

11.一种合成具有以下结构的含锰前体的方法：

其中R¹至R⁵各自独立地选自H；直链或支化的C₁-C₄烷基；直链、支化或环状的C₁-C₄烷基甲硅烷基；C₁-C₄烷基基；和直链或支化的C₁-C₄氟烷基；

所述方法包括：

MnX₂与2当量的Z-L按照反应式-1进行反应，其中X＝Cl、Br、I或者F，Z＝Li、Na、K和Tl，L＝吡咯-2-醛亚胺化物配体。

反应式-1