[发明专利]用于增强III-V半导体膜中的p-型掺杂的方法

权利要求书

1.一种掺杂III-V半导体膜的方法，所述方法包括：

将p-型掺杂剂提供至外延生长过程；

将能够用作电子库的表面活性剂提供至外延生长过程；

将氢提供至外延生长过程；和

在促进p-型掺杂的III-V半导体膜的形成的条件下生长III-V半导体膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将p-型掺杂剂提供至外延生长过程包括提供镁。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将p-型掺杂剂提供至外延生长过程包括提供铍。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将p-型掺杂剂提供至外延生长过程包括提供镉。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将能够用作电子库的表面活性剂提供至所述外延生长过程包括提供Sb。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将能够用作电子库的表面活性剂提供至所述外延生长过程包括提供Bi。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将氢提供至外延生长过程包括：

以第一氢分压提供氢；和

将氢分压从所述第一氢分压升高至第二氢分压。

8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括使所述p-型掺杂的III-V半导体膜退火以从所述III-V半导体膜除去共掺杂的氢。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，生长III-V半导体膜包括采用OMVPE生长过程。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，生长III-V半导体膜包括采用MBE过程。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，生长III-V半导体膜包括采用CBE过程。

12.一种掺杂半导体膜的方法，所述方法包括：

在存在如下物质的情况下生长半导体膜：

掺杂剂；

表面活性剂；和

氢源；并且

在生长所述半导体膜的过程中创造促进掺杂有p-型掺杂剂的半导体膜的形成的条件。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述掺杂剂选自由镁、铍和镉构成的组。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述表面活性剂能够用作电子库。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述表面活性剂是Bi。

16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述表面活性剂是Sb。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在氢源存在的情况下生长半导体膜还包括：

以第一氢分压提供氢；和

将氢分压从所述第一氢分压改变为第二氢分压。

18.一种掺杂III-V半导体膜的方法，所述方法包括：

在促进p-型掺杂的III-V半导体膜的形成的条件下，在选自由镁、铍和镉组成的组的p-型掺杂剂、能够用作电子库的表面活性剂和氢存在的情况下，生长III-V半导体膜外延。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述III-V半导体膜的所述外延生长还包括：

在所述生长过程中保持第一氢分压达第一时段；和

在所述生长过程中保持第二氢分压达第二时段。

20.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括

以足以从所述p-型掺杂的III-V半导体膜除去氢的温度和时间，对所述p-型掺杂的III-V半导体膜进行退火。