[发明专利]用于制造转换薄板的方法和转换薄板

权利要求书

1.用于制造用于发射辐射的半导体器件的至少一个转换薄板（4）的方法，在所述方法中，将基本材料（3）连同包含在所述基本材料中的转换材料借助于双层模板（1）施加到衬底（2）上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

借助于印刷法来施加所述基本材料（3）连同包含在所述基本材料中的转换材料。

3.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，

所述模板（1）具有至少一个穿透口（10），将所述基本材料（3）连同包含在所述基本材料中的转换材料穿过所述穿透口压紧到所述衬底（2）上。

4.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，

所述模板（1）具有印刷侧（15）和支承侧（14）。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述印刷侧（15）具有镍组织结构。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，

将所述基本材料（3）连同包含在所述基本材料中的转换材料施加在所述印刷侧（15）上并且随后借助于印刷刮板（7）穿过所述模板（1）压紧到所述衬底（2）上。

7.根据上述权利要求4至6中与权利要求3相关的任一项所述的方法，其中，

通过在所述支承侧（14）上的所述穿透口（10）的形状来确定所述转换薄板（4）的形状。

8.根据上述权利要求4至7中与权利要求3相关的任一项所述的方法，其中，

在所述印刷侧（15）上的所述穿透口（10）具有网格结构（12）。

9.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，

所述模板（1）在施加所述基本材料（3）时设置成与所述衬底（2）直接接触。

10.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，

将所述转换薄板（4）制成具有在60μm和170μm之间的厚度，包括边界值。

11.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，

以同一方法制成多个转换薄板（4），将所述多个转换薄板在同一方法步骤中借助于印刷法施加到所述衬底（2）上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，

所述模板（1）具有多个穿透口（10），通过所述多个穿透口来分别确定转换薄板（4）的形状。

13.根据权利要求3、4、8和10所述的方法，其中，

所述衬底（2）和所述转换薄板（4）不具有发射辐射的半导体器件。

14.用于发射辐射的半导体器件的转换薄板（4），所述转换薄板具有基本材料（3）和嵌在所述基本材料中的转换材料，其中所述转换薄板（4）的厚度（D₂）位于60μm和170μm之间的范围中，包括边界值。

15.根据上一项权利要求所述的转换薄板，其中，

所述转换材料在所述基本材料（3）中的份额在55重量百分比和70重量百分比之间，并且/或者其中，所述基本材料（3）包含硅树脂。