[发明专利]有机电致发光器件有效
| 申请号: | 201180050667.7 | 申请日: | 2011-10-05 |
| 公开(公告)号: | CN103155205A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
| 发明(设计)人: | H.F.博尔纳;H.赫梅尔;C.戈德曼恩 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘红;汪扬 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 | ||
技术领域
本发明涉及具有增强的光出耦合的有机电致发光器件领域。
背景技术
有机电致发光器件(或二极管)是这样的器件:其中当驱动电压被施加到这样的有机电致发光器件(OLED)时有机分子发光。OLED典型地包括透明衬底,在该衬底之上沉积了电致发光层堆叠,其包括位于两个电极层之间的有机发光层堆叠,所述两个电极典型地为在衬底之上的透明阳极和在有机层堆叠之上的反射阴极。由于有机分子对水分和氧气是敏感的,因此该层堆叠由在衬底之上密封的气密罩盖封装。为了操作OLED,施加大约几伏(例如2-15V)的驱动电压。
OLED器件是旨在用于房间照明的大面积光源。然而,从OLED器件发出的光的量仅为由发光层在内部产生的光的量的20%。为了提高OLED器件的效率,期望改进的光出耦合。OLED器件中主要损耗因素是由于OLED器件的平坦的几何形状导致的光俘获。典型地,仅有所产生的光的大约50%进入玻璃衬底并且仅有大约20%逃入空气中。剩余的50%在波导模式下被俘获,其在高指数有机层和氧化铟锡(ITO)电极中传播。迄今为止,在这些模式下俘获的光特别难以以经济的方式被提取。具有用于散射俘获的光的光栅的特殊衬底已被用来改进光出耦合,其中ITO电极和OLED层堆叠被沉积在这种结构之上。这样的结构将会把某种形态引入到OLED层堆叠中,其与具有平坦的OLED层堆叠的OLED器件相比降低了所得非平坦层堆叠的短路电阻。结构化的衬底将会另外增加制造努力和制造成本。
文献WO2010/064186A1公开了有机发光器件,其中光反射层(在OLED器件背面上的电极)包括导致增强来自OLED器件的光出耦合的散射光的变形。这些变形经由入射到光反射层后表面的激光束产生。激光束将热量引入到包括有机层和反射层的层系统。当利用该激光束将层堆叠加热到超过夹在两个电极之间的有机层的玻璃转变温度时,整个层堆叠形成屈曲或皱褶。这些屈曲或皱褶的形成由金属外套(反射层)中的应力驱动,该应力在由于加热导致反射层下面的有机层变软时通过起皱来减轻。这些皱褶是拟周期的,其具有广泛的周期性分布和方向随机性,并且这些皱褶充当增强光出耦合的一种类型的布拉格(Bragg)光栅。然而,经处理超过玻璃转变温度的OLED器件大多数被缩短,因为在出现的皱褶谷底处,阴极与阳极之间的距离非常短,从而导致高电流密度。有时,两个电极可以直接接触。因此,如上所描述的那样处理的OLED器件只能以低产品收得率制造并且由于发生短路的概率大而引起该OLED器件在寿命期限内是不可靠的。存在提供一种具有改进的光出耦合的OLED器件的需求,该OLED器件可以以低成本容易且可靠地制造。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有改进的光出耦合的OLED器件,其可以以低成本容易且可靠地制造。
该目的通过一种有机电致发光器件实现,该有机电致发光器件包括位于衬底之上的电致发光层堆叠,其中电致发光层堆叠包括具有夹在面向衬底的第一电极与第二电极之间的一个或多个有机层的有机发光层堆叠,其中第二电极包括至少由位于有机发光层堆叠之上的透明传导保护层、位于保护层之上的透明有机传导屈曲层以及位于屈曲层之上以将应力引入到屈曲层的应力诱导层构成的层堆叠,该屈曲层具有低于有机发光层堆叠内的有机层的最低玻璃转变温度的玻璃转变温度。根据本发明的OLED器件示出了独立于所发出光的波长的光出耦合的显著改进。由普通的氧化铟锡(ITO)覆盖的玻璃衬底仍然可以被用来制造OLED器件。当前的OLED器件是用于在不破坏OLED器件的层结构的情况下改进OLED器件的光出耦合的非常廉价和可靠的解决方案。所需的制造步骤容易执行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





