[发明专利]基板的等离子体处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及针对以被收容于托盘的状态实施搬运的多个基板进行等离子体处理的方法。

背景技术

在制造LED器件的制造工序中，为了提高将光从器件取出到外部的效率，作为在蓝宝石基板的表面形成凹凸构造的工序而进行了蚀刻处理(等离子体处理)。在这种蚀刻处理中，以多个基板被收容于托盘的状态来进行处理(例如，参照专利文献1)。

具体而言，构成为在托盘形成有多个基板收容孔，蓝宝石基板的缘部被从基板收容孔的内壁突出的基板支撑部支撑，由此多个基板被收容于托盘。在等离子体处理装置的腔室内配置有基板台，在基板台的上表面设置有托盘支撑部、和从该托盘支撑部朝上突出的多个基板保持部。

在进行蚀刻处理时，以被收容于托盘的状态而将多个基板搬入到腔室内，通过在托盘支撑部上载置托盘，由此将多个基板载置在基板保持部上，并且成为基板的缘部从基板支撑部分离的状态。在这种状态下，以通过内置于基板保持部的ESC(静电卡盘)对各个基板进行静电吸附而使基板保持部保持的状态，进行对基板的蚀刻处理。如果蚀刻处理完成，则解除基于ESC的吸附保持，从托盘支撑部抬起托盘，并且以由基板支撑部再次支撑基板的缘部的状态而将多个基板从腔室内搬出。

-在先技术文献-

-专利文献-

专利文献1：日本特开2007-109771号公报

发明内容

-发明要解决的课题-

然而，在专利文献1那样的蚀刻处理方法中，由于在基板台被各个基板保持部保持的状态的基板的缘部、和托盘中的基板支撑部处于彼此分离的状态，因此在蚀刻处理中从蓝宝石基板以及托盘(例如，由SiC形成。)产生的副生成物(附着物，deposition)会附着于基板的缘部、托盘的基板收容孔的内壁。在蚀刻处理结束之后，由托盘支撑部抬起托盘而搬出各个基板时，托盘的基板保持部和基板的缘部相抵接，所附着的副生成物有时会落到基板保持部上。如果这种副生成物落到基板保持部上，则在进行对下一个基板的蚀刻处理时，所落下的副生成物会侵入，从而有时会妨碍基板的可靠保持。当处于这种情况时，存在如下问题：在蚀刻处理中无法充分地进行基板的冷却，从而发生产品不良。

因此，本发明的目的在于解决上述问题，提供一种在针对以被收容于托盘的状态实施搬运的多个基板进行等离子体处理的方法中，能够在等离子体处理中进行附着于基板的缘部以及托盘的副生成物的去除，以提高产品的品质的基板的等离子体处理方法。

-用于解决课题的技术方案-

为了达成上述目的，本发明如下那样构成。

根据本发明的第一方式，提供一种基板的等离子体处理方法，包括：

基板搬入工序，利用托盘将多个基板搬入到腔室内，该托盘设置有收容基板的多个基板收容孔、且具有从各个基板收容孔的内壁突出的基板支撑部，该多个基板的每一个分别处于其缘部被基板支撑部支撑并被收容于基板收容孔的状态；

基板载置工序，在腔室内，针对具有托盘支撑部和从该托盘支撑部朝上突出的多个基板保持部的基板台，通过在托盘支撑部上载置托盘并且在各个基板保持部上载置基板，由此成为使从基板保持部的端缘伸出的基板的缘部和基板支撑部分离的状态；

第一等离子体处理工序，向腔室内供给处理气体并且调整腔室内的压力，来进行对各个基板的等离子体处理；

第二等离子体处理工序，在托盘以及各个基板被载置于基板台上的状态下，向腔室内供给处理气体并且调整腔室内的压力来实施等离子体处理，通过第一等离子体处理工序的实施来去除在基板的缘部与基板支撑部所附着的副生成物；和

基板搬出工序，在第二等离子体处理工序结束之后，在由基板支撑部支撑了基板的缘部的状态下，使各个基板与托盘一起从腔室内搬出。

根据本发明的第二方式，提供一种具有如下特征的第一方式所记载的基板的等离子体处理方法：在第一等离子体处理工序结束之后，在实施第二等离子体处理工序时，切换成种类与第一等离子体处理工序中的处理气体不同的处理气体，并且以比第一等离子体处理工序中的压力还高的压力来进行第二等离子体处理工序。

根据本发明的第三方式，提供一种具有如下特征的第二方式所记载的基板的等离子体处理方法：

在第一等离子体处理工序中，通过静电吸附而将各个基板吸附保持于基板保持部，并且通过在基板与基板保持部之间以规定的压力所供给的冷却气体来冷却的同时进行等离子体处理，

在第一等离子体处理工序结束之后，在实施第二等离子体处理工序时，切换成比第一等离子体处理工序中的静电吸附的驱动电压还低的驱动电压来进行静电吸附。