[发明专利]形成完全嵌入式非凹凸内建层封装件的方法和由此形成的结构

说明书

发明背景

随着半导体技术因更高的处理器性能而发展，封装架构的发展可包括无芯非凹凸内建层(BBUL-C)封装件架构和其它这类组件。BBUL-C封装件的当前工艺流程涉及在由铜箔覆盖的临时芯层/载体上建立衬底，所述铜箔在封装件从芯层分离后被蚀刻除去。

附图说明

尽管说明书以特别指出和独立地要求本发明某些实施例的权利要求书作为结尾，但本发明的优势可从下面结合附图对本发明描述中得到更好的理解，在附图中：

图1a-1g表示形成根据本发明一实施例的结构的方法。

图2a-2j表示形成根据本发明一实施例的结构的方法。

具体实施方式

下面的详细描述参照附图，附图以解说方式示出本发明可投入实践的特定实施例。充分详细地描述这些实施例，以使本领域技术人员将这些实施例投入实践。要理解各实施例，尽管是不同的，但不一定是相互排斥的。例如，这里结合一个实施例描述的特定特征、结构或特性可在其它实施例中实现而不脱离实施例的精神和范围。另外要理解，可修正各公开实施例中的各个要素的位置或配置而不脱离实施例的精神和范围。因此，下面的详细描述不具有限定意义，并且各实施例的范围仅由适当解释的所附权利要求连同这些权利要求授权的等效物的全部范围来定义。在附图中，相同的附图标记贯穿若干附图地表示相同或相似的功能。

描述了形成和利用微电子封装结构的方法和相关结构，例如所述的完全嵌入式无芯BBUL封装件结构。那些方法可包括形成嵌入在无芯衬底中的管芯，其中模制复合物围住管芯并且管芯包括在管芯第一侧上的TSV连接和在管芯第二侧上的C4焊盘，其中介电材料被设置在模制复合物的第一侧和第二侧上，并且互连结构通过管芯两侧上的介电材料被耦合至C4焊盘和TSV焊盘。实施例的方法允许使用非凹凸内建层(BBUL)技术形成双侧的、完全内嵌式封装件。

实施例的方法和相关结构进一步包括形成内嵌在无芯衬底中的第一管芯、毗邻于第一管芯的第一介电材料以及嵌入在无芯衬底中的第二管芯，其中第二管芯被设置在第一管芯之上并且第二介电材料毗邻于第二管芯。互连结构进一步将第一管芯连接于无芯衬底外部上的焊料连接，其中无芯衬底不包括将第二管芯耦合至无芯封装件的PoP(封装件上的封装件)焊点。实施例的方法进一步使封装件结构成形，其中整个封装件完全由BBUL工艺制成，而不由涉及BBUL封装工艺和BGA/引线接合封装工艺的混合工艺制成。

图1a-1g示出形成微电子结构(例如封装件结构)的方法的实施例。图1a示出载体材料100。在一个实施例中，载体材料100可包括多层铜箔，该铜箔可充当临时载体，例如微电子管芯载体100。在其它实施例中，载体材料100可包括任何适当的导电载体材料100。在一实施例中，载体材料100可选择地包括粘合层102。

在一实施例中，管芯106可设置在载体材料100上，该载体材料100在一实施例中可包括临时管芯载体100。管芯106可包括受控塌陷芯片连接(C4)焊盘104和通硅通路(TSV)焊盘105。在一个实施例中，C4焊盘可设置在管芯106的第一侧103上，而TSV焊盘可设置在管芯106的第二侧101上。在管芯载体100上，管芯106可设置成使C4侧朝上，或者在其它实施例中，可使TSV焊盘105侧向上。在一个实施例中，粘合剂102可要么涂布在管芯106上要么涂布在载体100上。在一些情形下，可使用102粘合膜和/或附连工艺将管芯106附连至临时载体100。

在一个实施例中，可将模制复合物108施加至管芯106周围/嵌入管芯106(图1b)。在一个实施例中，可涂布和固化模制复合物108以过模制管芯106。可施加模制复合物108以使管芯106完全地嵌入到模制复合物108中。然后可去除模制复合物108的一部分以使C4焊盘104和TSV焊盘105露出(图1c)。在一实施例中，可执行模制复合物108的背面研磨以使C4焊盘104和TSV焊盘105露出，并可在背面研磨去除工艺中将临时载体100从管芯106去除。在一个实施例中，管芯106可在C4和TSV焊盘104、105露出之后保持完全地嵌入在模制复合物108中。模制复合物108可充当底部以随后形成根据本文实施例形成的微电子封装件结构的内建层，并进一步用来减小之后处理这种封装件结构期间的翘曲。剩余的模制复合物108可包括第一表面107和第二表面109。