[发明专利]形成完全嵌入式非凹凸内建层封装件的方法和由此形成的结构在审

专利信息
申请号: 201180045470.4 申请日: 2011-09-26
公开(公告)号: CN103119711A 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: R·K·纳拉;M·J·曼努沙洛;P·马拉特卡 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/12;H01L23/485
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 邢德杰
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 形成 完全 嵌入式 凹凸 内建层 封装 方法 由此 结构
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

将第一管芯附连至载体的第一侧;

将第二管芯附连至所述载体的第二侧;

在所述载体的所述第一侧上形成介电材料以及在所述载体的所述第二侧上形成介电材料;

贯穿所述载体的所述第一侧上的介电材料形成通路连接和互连结构以连接于所述第一管芯,并贯穿所述第二侧上的介电材料形成通路连接和互连结构以连接于所述第二管芯;

将第三管芯附连在所述载体的所述第一侧上的介电材料上,并将第四管芯附连在所述载体的所述第二侧上的介电材料上;

在所述第三管芯上形成附加的介电材料和互连结构并在所述第四管芯上形成附加的介电材料和互连结构;以及

沿所述载体将所述第一和第三管芯从所述第二和第四管芯分离以形成两个独立的封装件结构。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括将所述第一和第三管芯完全地嵌入到第一封装件中,并将所述第二和第四管芯完全地嵌入到第二封装件中。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一和第二封装件不包括PoP焊点。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一和第二管芯包括存储器管芯。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一和第二管芯包括CPU管芯。

6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,还包括将第五管芯附连成毗邻于所述载体的第一侧上的介电材料上的所述第三管芯,并将第六管芯附连成毗邻于所述载体的第二侧上的介电材料上的所述第四管芯。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述载体材料包括铜。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述两个封装件中的每一个包括无芯非凹凸内建层封装件。

9.一种形成封装件结构的方法,包括:

将管芯附连至载体材料;

在所述管芯上方形成模制复合物;

去除一部分模制物以使所述管芯的第一侧和第二侧上的焊盘露出;

在所述模制复合物的第一表面和第二表面上形成介电材料;

通过在设置在所述模制复合物的所述第一和第二表面上的介电材料上建立层以形成无芯衬底。

10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,还包括:

形成通路和互连以连接至所述管芯的所述第一侧和第二侧上的焊盘。

11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述结构包括双侧封装件,并且所述管芯被完全地嵌入到所述双侧封装件中。

12.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述结构包括无芯非凹凸内建层封装件的一部分,并且第二管芯被附连至所述封装件。

13.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述管芯包括在所述管芯的第一侧上的TSV焊盘以及在所述管芯的第二侧上的C4焊盘。

14.一种结构,包括:

内嵌到无芯衬底中的管芯,其中模制复合物围住所述管芯并且所述管芯包括在所述管芯的第一侧上的TSV连接和在所述管芯的第二侧上的C4焊盘;

在所述模制复合物的第一侧和第二侧上的介电材料;以及

耦合至所述C4焊盘和所述TSV焊盘的互连结构。

15.如权利要求14所述的结构,其特征在于,所述结构包括双侧封装件,并且所述管芯被完全地嵌入到所述双侧封装件中。

16.如权利要求14所述的结构,其特征在于,所述结构包括无芯非凹凸内建层封装件的一部分。

17.如权利要求16所述的结构,其特征在于,第二管芯和第二封装件中的至少一者被附连至所述封装件的外部。

18.如权利要求14所述的结构,其特征在于,焊料互连结构被耦合至所述封装件外部上的管芯。

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